Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: krótki kanał

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza stałoprądowa układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem

Tadeusiewicz M., Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 11

30-33

Rozpatrywane są fundamentalne problemy analizy i projektowania układów elektronicznych o wielu rozwiązaniach DC, zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem. Problemy te dotyczą wyznaczania wszystkich rozwiązań DC oraz charakterystyk typu wejście-wyjście. Opracowano dwuetapową procedurę, polegającą na wstępnym wyznaczeniu rozwiązań z wykorzystaniem "the n-th power law model" tranzystorów MOS oraz algorytmu sukcesywnego zawężania, podziału i eliminacji, a następnie uściśleniu tych rozwiązań, stosując kontrolowaną symulację programem SPICE z użyciem modelu BSIM.

Circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions, are analyzed in this paper. The basic question how to find efficiently all the DC solutions and input-output characteristics are considered. A two-part procedure is described for computing all the DC solutions. This procedure exploits the n-th power law model of MOS transistors and the algorithm of successive contraction, division and elimination to find preliminary solutions, and next the BSIM model to correct them using controlled SPICE simulations.