Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2017

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: kp model

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Struktura pasmowa i wzmocnienie optyczne studni kwantowych GeSn/Ge

Mączko H., Gładysiewicz M., Kudrawiec R.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 8

13--16

W niniejszej pracy zaprezentowano wyniki obliczeń struktury pasmowej i widm wzmocnienia optycznego dla studni kwantowych Ge/Ge1-xSnx/Ge. Dokonano optymalizacji składu x i grubości studni d do zastosowań w laserach półprzewodnikowych, w wyniku której uzyskano propozycje korzystnych wartości parametrów studni kwantowej: 0,15 < x < 0,17, d ~ 12 mm.

In this work band structure and optical gain was calculated for Ge/Ge1-xSnx/Ge quantum wells. Ottomanization of x composition and the thickness of the well d were made for use in semiconductor lasers. As a result of optimization achieved the optimum parameter values of quantum wells: 0.15 < x < 0.17, d ~ 12 nm.