Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: kontakt tylny ogniwa słonecznego

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krzemowe ogniwa słoneczne z tylnymi kontaktami punktowymi

Panek P., Drabczyk K., Kwiatkowska J., Suchenek K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

22-25

W pracy przedstawiono proces wytwarzania i wyniki badań krystalicznych, krzemowych ogniw słonecznych z tylnymi kontaktami punktowymi wytworzonymi wiązką promieniowania laserowego (LFC). Do wytwarzania tylnych kontaktów punktowych zastosowano laser neodymowy Nd:YAG i iterbowy laser włóknowy (YFL). Charakterystykę punktów kontaktowych omówiono w aspekcie wyników badań wykonanych przy pomocy mikroskopii skaningowej (SEM), a analizę ilościową i mikrostruktury w aspekcie wyników uzyskanych w mikroskopii transmisyjnej (TEM). Parametry ogniw słonecznych określono metoda pomiaru charakterystyki prądowo-napięciowej (I-V) i charakterystyki spektralnej. Otrzymano ogniwa o najwyższej sprawności konwersji fotowoltaicznej o wartości 15,16 i 15,80% odpowiednio dla lasera Nd:YAG i YFL.

In this paper we present processing and characterization of the crystalline silicon solar cells with laser-fired back contacts (LFC). For the LFC formation two laser were used: Nd:YAG laser and ytterbium fiber laser (YFL). The results are discussed with the support of scanning electron microscopy (SEM). The cross-section structure and quantitative analysis of the LFC contact regions were studied with transmission electron microscopy (TEM). The current-voltage characteristics and spectral response dependences were performed for solar cells characterization. The best cells with LFC were realized with 15.80 and 15.16% efficiency for Nd:YAG and YFL, respectively.

Wytwarzane metodą laserową kontakty punktowe Al-Si w aspekcie zastosowania w ogniwach słonecznych na bazie krzemu krystalicznego

Panek P., Drabczyk K., Kwiatkowska J., Socha P. R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

37-41

Praca zawiera wyniki badań dotyczących właściwości i struktury kontaktów punktowych (LFC) wytworzonych za pomocą promieniowania laserowego pomiędzy warstwą naparowanego aluminium a krzemem krystalicznym w kontekście ich stosowania w ogniwach słonecznych. Stosując mikroskop skaningowy (SEM) przedstawiono zależności pomiędzy wartością energii promieniowania ELB w zakresie od 13 mJ do 848 mJ dla lasera duantel - YG980 QSwitched Nd:YAG generujący promieniowanie o długości fali 1064 nm i czasie pojedynczego impulsu 10 nanosekund a formą i strukturą punktu kontaktowego dla wybranych grubości naparowanej warstwy Al. Metodą mikroskopii transmisyjnej (TEM) zobrazowano przekrój kontaktu punktowego. Degradację sieci krystalicznej Si w zależności od ELB oraz konkretnego miejsca w obszarze LFC zanalizowano metodą spektroskopii Ramana. Metodą spektroskopii fotoelektronów (XPS) wyznaczono w obszarach LFC wartość stosunku atomowego Al/Si oraz stosunku stanów elektronowych dla różnych form Al i Si w zależności od energii wiązki. Wyznaczono energię ELB w granicach 260 mJ, dla której degradacja struktury sieci krystalicznej Si jest kompromisem wartości Si/AI i energii wiązania Al-Si.

This paper reports an experimental investigations of the laser fired contacts (LFC) prepared on Al layers evaporated on the back side of the crystalline silicon. The LFC were obtained using 10 nanoseconds pulsed Nd:YAG laser of wavelength of 1064 nm and a pulse energy from 13 mJ to 848 mJ. The size, morphology and structure of the LFC contact regions were studied using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Raman micro-spectroscopy. The transmission microscopy (TEM) was applied for analysis of the LFC cross-section. X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) measurements were used to evaluate the atomic ratio of the elements and the ratio of electronic states of Al and Si at the LFC local area in respect of the laser beam energy. An optimal value of laser beam energy as a balance between Si crystal degradation and the highest Si/Al ratio with the strongest Al-Si bonding was found at 260 mJ.