Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: kontakt omowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową

Woźny Janusz, Kubiak Andrzej

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 1

169--172

W pracy zaprezentowana jest metoda uzyskiwania kontaktów omowych do węglika krzemu z wykorzystaniem srebrowego kleju przewodzącego oraz lasera modyfikującego obszar kontaktu. Metoda nie wymaga przeprowadzania procesu wygrzewania całej struktury. Może ona znaleźć zastosowanie w pracach laboratoryjnych nad SiC wymagających szybkiego wytworzenia kontaktów omowych do struktur z SiC.

The paper presents a method of obtaining ohmic contacts to silicon carbide with the use of a silver conductive adhesive and a laser beam modifying the contact area. The method does not require the whole structure annealing process. It can be used in laboratory work on SiC requiring rapid creation of ohmic contacts to SiC structures.

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Borowicz P., Adamus Z., Ekielski M., Piotrowska A., Kuchuk A., Borysiewicz M., Kamińska E., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

31-34

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.

The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/silicon/nickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 + 10 graphene layers.