PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  klasa DE
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Design and simulations of medium frequency power supply for plasma processing and magnetron sputtering
Zapart Mateusz, Worek Cezary
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 2
98--101
EN
The article presents a 4th order power converter of LCLC type. The presented solution works with a frequency of about 100 kHz, and the converter is designed to deliver supply to the magnetron. This unpopular topology has an output type that can be characterized as a current source, with the ability to generate high voltage without load, which is advantageous when used with plasma processes. Furthermore, LCLC topology in this application allows the use of slower control circuits, enabling the implementation of digital feedback loops using DSC microcontrollers.
PL
W artykule przedstawiono, przetwornicę z obwodem rezonansowym 4 rzędu typu LCLC, pracującą na częstotliwościach około 100 kHz przeznaczoną do zasilana magnetronu. Ta nietypowa topologia charakteryzuje się wyjściem o charakterze źródła prądowego z możliwością osiągnięcia wysokiego napięcia bez obciążenia, co jest zaletą w przypadku zasilania procesów plazmowych. Wiąże się również z mniejszymi wymaganiami dotyczącymi szybkości kontrolera, co pozwala na realizację cyfrowych pętli sprzężenia z wykorzystaniem mikrokontrolerów DSC
2
Integrated magnetic component in a 120 W resonant power supply dedicated for lighting applications
Widórek R., Ligenza S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 2
23-26
EN
A design of a LED lamp power supply based on a series-parallel LCLC resonant tank is presented in the paper. This type of the LCLC resonant converter has some advantages over the commonly used LLC resonant converter. To further improve the performance of the LCLC resonant converter the resonant inductors have been integrated into a single component, reducing the size of the device. The principle of operation and a proposed construction of such an element are presented in the paper.
PL
Artykuł prezentuje projekt zasilacza dedykowanego do lamp LED bazującym na szeregowo-równoległym obwodzie rezonansowym typy LCLC. Konstrukcja konwertera typu LCLC posiada pewne zalety względem popularnej konstrukcji przetwornika LLC. W celu poprawy parametrów przetwornika LCLC indukcyjności obwodu rezonansowego zostały zintegrowane, tworząc pojedynczy element. Zmniejsza to rozmiary zasilacza. Artykuł wyjaśnia zasadę działania i prezentuje propozycję budowy tego elementu.
3
Content available remote Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter
Worek C., Ligenza S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
317-319
EN
In this paper a parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in soft switching applications is analysed by means of the simulation procedure and implementation in test circuits. Power loses in MOSFET, IGBT and for parallel connection was compared. It shows that parallel configuration is the best choice for high power resonant mode converters.
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji i pomiarów układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym w trybie „soft-switching”. Porównano straty mocy w poszczególnych tranzystorach oraz w przypadku równoległego ich połączenia. Wykazano, że konfiguracja równoległa jest obiecującą konfiguracją do zastosowania w zasilaczach rezonansowych w których występują, ze względu na charakter układu, duże przetężenia prądu.
4
Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym
Kasprzak M.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Śląska
|
2004
|
z. 192
85-90
PL
W artykule opisano falownik klasy DE z wyzwalaniem sinusoidalnym tranzystorów Mosfet. Wyzwalacz jest falownikiem rezonansowym klasy D, który napięciem sinusoidalnym zasila dwa transformatory bramkowe. Falownik klasy DE 8 MHz/200 W zbudowano opierając się na tranzystorze Mosfet IRF740LC o obniżonym ładunku. W falowniku klasy D wyzwalacza wykorzystano scalony sterownik DEIC420. Artykuł zawiera schemat przekształtnika, wyniki pomiarów laboratoryjnych oraz wyniki symulacji komputerowych (SPICE). Uzyskano stan pracy optymalnej i sprawność 88%. Pozytywne wyniki pozwolą opracować falownik o mocy ok. l kW/16 MHz z tranzystorami Mosfet do zastosowań RF.
EN
The work concerns the Class DE resonant inverter with the sinusoidal gate driver of Mosfet's. The sinusoidal driver bases on Class D inverter supplying two gate drive transformers. The class DE 8 MHz/200 W inverter bases on IRF740LC low charge Mosfets. Class D driving inverter bases on solid RF driver DEIC420 type. The Paper contain schema of the inverter, laboratory measurements and SPICE simulation results. In the optimum commutation mode the 88% efficiency of inverter was obtained. Positive results of laboratory measurements allows to design a similar 1 kW/16MHz inverter based on RF dedicated Mosfet.
5
Analiza strat komutacyjnych w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE
Modzelewski J.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 12
8-12
PL
Sprawność energetyczna rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE może być bliska 100% dzięki obniżeniu start komutacyjnych w stosunku do wzmacniaczy klasy DE. W artykule przeanalizowano mechanizm powstawania strat komutacyjnych we wzmacniaczu klasy DE przy włączaniu i wyłączaniu tranzystorów mocy. Wprowadzono zależności wiążące moc strat wyłączania z parametrami wzmacniacza i zastosowanych tranzystorów.
EN
The efficiency of Class-DE tuned power amplifiers may be near 100% because of low switching losses comparing to the Class D amplifiers. In the paper the mechanism of turn-on and turn-off switching losses in the Class DE amplifiers was analysed. The relationships between the turn-off switching losses and parameters of the Class DE amplifier and power transistors were derived.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.