Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  kinetics modeling
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
It is necessary to understand the process of anaerobic digestion (AD) of sewage sludge and to find an adequate strategy to improve the efficiency of methane production. In this work, the production of methane and detailed properties of sludge are determined. The physico-chemical parameters of the digester 1 'D1' and the digester 2 'D2' remain in the optimal range of AD stability with a median value of pH (7.82; 7.93); Temperature (36.70; 37.10°C); alkalinity (3.52; 3.58 g/L); and volatile fatty acids (0.47; 0.52 g/L), respectively. This paper focuses on the performance optimization of the methane production by kinetic models of two continuous digesters in a wastewater treatment plant in Kenitra City, Morocco. Mathematical models used in anaerobic digestion are: Modified Gompertz, transference functions, and logistics functions. These kinetic models have benefitted experimental methane production for both digesters. Results show that all the models used are appropriate to optimize the kinetic parameters for producing methane, showing that the transference function is the most suitable model for predicting kinetic results.
PL
W artykule przedstawiono porównanie procesu utleniania termicznego krzemu oraz węglika krzemu w zakresie metod opisu i modelowania zjawiska wzrostu warstwy SiO2 na odpowiednim podłożu. Przedyskutowano możliwości adaptacji modeli kinetyki utleniania opracowanych dla krzemu (model Deala-Grove'a oraz model oparty o zjawisko emisji międzywęzłowych atomów krzemu z interfejsu) do zastosowań w technologii węglika krzemu. Przedstawiono podstawowe wady i zalety rozważanych modeli kinetyki utleniania w odniesieniu do technologii węglika krzemu.
EN
In the article, thermal oxidation process of silicon and silicon carbide was compared. Modeling and description methods developed for silicon oxidation and their usefulness for silicon carbide technology were discussed. Classical Deal-Grove model and recently developed silicon interfacial emission model were investigated. Features of both models were shown and discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.