Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: junction capacitance

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakteryzacja cienkowarstwowych ogniw słonecznych na podstawie pomiarów i symulacji ich charakterystyk pojemnościowych

Sibiński M., Znajdek K., Stanisławski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

162-165

W artykule przedstawiono możliwości analizy parametrów ogniw słonecznych na podstawie pomiarów ich charakterystyk pojemnościowych. Prezentowane prace dotyczą symulacji numerycznych oraz pomiarów rzeczywistych charakterystyk pojemności złączowej cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Na podstawie symulacji numerycznych i pomiarów dokonano obliczeń takich parametrów jak wykres Mott- Schottky’iego, gęstość domieszkowania w zależności od napięcia flat-band, czy też rozkład domieszek w słabiej domieszkowanym obszarze ogniwa. Praca prezentuje także problemy dotyczące konstrukcji i wykonania a także prowadzenia i interpretacji pomiarów przy pomocy specjalnie zaprojektowanego stanowiska badawczego.

The article presents issues connected with analysis of solar cells parameters based on their junction capacitnce measurements. Presented investigation was based on numerical simulations, and indirect and direct measurements of thin -film solar cells capacitance characetristics. Using all described methods many parameters, namely Mott-Schottky characteristics, density of doping according to flat-band potential and base region doping level were calculated. The work presents also problems connected with construction and operation of the laboratory setup for Cj measurements as well as possible interpretation of obtained results.

Influence of junction parameters on the open circuit voltage decay in solar cells

Salach-Bielecki R., Pisarkiewicz T., Stapiński T., Wójcik P.

Opto-Electronics Review

2004

Vol. 12, No. 1

79--85

Starting from the general equivalent model of a solar cell including junction capacitance and shunt resistance connected with surface recombination of photocarriers, the phenomenon of open circuit voltage decay was analysed. The time decay of a photovoltage is influenced by the junction capacitance time constant to a great extent. The time constants of both depletion layer and diffusion capacitances varying with applied bias voltage were examined. The detailed analysis of these time constants allowed for evaluation of the forward bias voltage that should be applied to c-Si solar cell to minimize this detrimental effect. As it was shown, that voltage bias can be easily generated by the constant illumination, the so-called bias light. Impedance measurements of solar cells in the frequency range 10 Hz–100 kHz and with varying voltage bias allowed for additional characterisation of the junction capacitance and resistance. The measured parameters agree well with these used in model calculation of a photovoltage decay.