Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion

Materna A.

Materiały Elektroniczne

|

2017

|

T. 45, nr 2-4

12--23

EN

The paper describes the synthesis and crystallization processes of a BiTeI polar semiconductor, carried out by a modified vertical Bridgman method (VB), or/and by CVT (chemical vapor transport) method, in a horizontal position. For BiTeI samples, the measurements were performed by Van der Pauw method and by the structural techniques (EDS, XRD and Raman spectroscopy), which confirmed the presence of a pure BiTeI phase in the obtained materials.

PL

W pracy opisano procesy syntezy i krystalizacji polarnego półprzewodnika BiTei metodą transportu chemicznego (cVT) w układzie poziomym oraz zmodyfikowaną, pionową metodą Bridgmana (VB). Dla przygotowanej serii próbek, wykonano pomiary własności transportowych (metodą Van der Pauwa), które wykazały dużą ruchliwość nośników, w temperaturze 77K. Badania strukturalne wykonane za pomocą technik mikroanalizy rentgenowskiej EDs (energy dispersive spectroscopy), rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej XRD (X-ray diffraction analysis) oraz spektroskopii Ramana, potwierdziły obecność czystej fazy BiTei w otrzymanych materiałach.

2

Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3

Hruban A., Materna A., Strzelecka S., Piersa M., Orłowski W., Jurkiewicz-Wegner E., Diduszko R., Romaniec M., Dalecki W., Wołoś A.

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 3

27--39

PL

W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi2Se3 (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi2Se3 domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 1019 cm-3 – 3 x 1017 cm-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 1018 cm-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 1017 cm-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.

EN

In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi2Se3 crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi2Se3, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 1019 cm-3 and 3 x 1017 cm-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 1018 cm-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 1017 cm-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.

3

Izolatory topologiczne - niespodzianki ukryte w strukturze pasmowej izolatorów

Cywiński Ł., Dietl T.

Postępy Fizyki

|

2010

|

T. 61, z. 4

134-140

PL

Odkrycie niezwykle stabilnych (topologicznie chronionych) stanów brzegowych i powierzchniowych w izolatorach pasmowych z silnym oddziaływaniem spinowo-orbitalnym jest jednym z najciekawszych wydarzeń w fizyce materii skondensowanej ostatnich lat. Pięciu naukowców, którzy przyczynili się do rozwinięcia teorii tychże "izolatorów topologicznych" oraz jej doświadczalnego potwierdzenia, otrzymało w tym roku nagrodę Europejskiego Towarzystwa Fizycznego. W artykule staramy się przybliżyć podstawy fizyki izolatorów topologicznych, i omawiamy niektóre z najciekawszych zjawisk, których istnienie zostało przewidziane w tych materiałach.

EN

The discovery of unusually stable (topologically protected) edge and surface states in band insulators having strong spin-orbit coupling is one of the most interesting recent developments in condensed matter physics. Five scientists who contributed to the theoretical development of the idea of "topological insulators" and to its experimental confirmation, were awarded the prize of the European Physical Society in this year. In the article we try to explain the basic ideas of the physics of topological insulators, and we discuss some of the most interesting phenomena which have been predicted to occur in these materials.