Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ione implantation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stanowisko do badania rozpylania jonowego wiązkami średniej energii

Pyszniak K., Turek M., Droździel A., Sielanko J., Mączka D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 10

51-54

Przedstawiono nowe stanowisko pomiarowe, skonstruowane w Instytucie Fizyki UMCS, służące do badania procesu rozpylania w trakcie bombardowania ciał stałych wiązkami jonów o średnich energiach. Zaprezentowano szczegółową analizę doboru parametrów pracy układu, mającą na celu uzyskiwanie dobrej jakości widm masowych rozpylanych substancji, przy jednocześnie zadowalającej wartości natężenia mierzonych prądów jonowych.

In the paper new experimental apparatus for ion beam sputtering studies is presented. The set-up employs medium energy (20...70 keV) ion beams produced by electromagnetic mass separator. The detailed analyze of work parameters optimization is described. The goal of the optimization is to obtain good-quality mass spectra of sputtered substances keeping satisfactory level of sputtered ions current.