Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Ion etching of HgCdTe : properties, patterns and use as a method for defect studies

Izhnin I. I., Mynbaev K. D., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A. G., Fitsych O. I., Pociask-Bialy M.

Opto-Electronics Review

|

2017

|

Vol. 25, No. 2

148--170

EN

Analysis is performed of the contemporary views on the effect of ion etching (ion-beam milling and reactive ion etching) on physical properties of HgCdTe and on the mechanisms of the processes responsible for modification of these properties under the etching. Possibilities are discussed that ion etching opens for defect studies in HgCdTe, including detecting electrically neutral tellurium nanocomplexes, determining background donor concentration in the material of various origins, and understanding the mechanism of arsenic incorporation in molecular-beam epitaxy-grown films.

2

Non-self-sustained discharge with hollow anode for plasma-based surface treatment

Misiruk I. O., Timoshenko O. I., Taran V. S., Garkusha I. E.

Nukleonika

|

2016

|

Vol. 61, No. 2

195--199

EN

The paper discusses plasma methods for surface modification using the non-self-sustained glow discharge with a hollow anode. This discharge is characterised by low voltage and high values of electron and ion currents. It can be easily excited in vacuum-arc installations that are widely used for coatings deposition. It is shown that such type of discharge may be effectively used for ion pumping, film deposition, ion etching, diffusion saturation of metallic materials, fusion and brazing of metals, and for combined application of above mentioned technologies in a single vacuum cycle.

3

Kształtowanie właściwości warstw NCD z zastosowaniem trawienia jonowego jako obróbki wstępnej w metodzie RF PACVD

Grabarczyk J.

Engineering of Biomaterials

|

2012

|

Vol. 15, no. 112

36-41

PL

W pracy przedstawiono wpływ obróbki wstępnej, polegającej na trawieniu jonowym powierzchni, na aktywną zmianę struktury warstw węglowych syntetyzowanych w metodzie plazmy wysokiej częstotliwości (RF PACVD). W badaniach warstwa węglowa osadzana była na powierzchni stali medycznej (AISI 316L) w plazmie metanowej. Podczas obróbki wstępnej, trawienia jonowego, zmieniano negatywny potencjał polaryzacji elektrody w granicach od 1000 V do 1600 V. Te zmiany prowadziły do obserwowanych różnic w strukturze, chropowatości, grubości i właściwościach tribologicznych warstw węglowych. Wykazano, iż wyższe parametry trawienia jonowego, poprzez zwiększenie energii bombardowania jonowego prowadzącego do intensywniejszego nagrzewania podłoża, powodują silne zmiany w strukturze powstającej warstwy. Ma to istotny wpływ na właściwości warstwy, a zwłaszcza jej odporność korozyjną i twardość.

EN

Here is presented evidence of how ion etching pre-treatment in the radio frequency plasma-assisted chemical vapour deposition (RF PACVD) method produces an active change in the substrate's surface and forms an interlayer between the surface and the carbon coating, thus creating the best conditions to deposit the coating onto the substrate. In this method, a film is deposited onto the surface of a medical steel (AISI 316L) sample in methane plasma. During the ion etching pre-treatment, the negative bias voltage parameters are changed from 1000 V to 1600 V. These changes lead to observed differences in the structure, roughness, thickness, and tribological properties of the carbon films. High ion etching causes an increase in the temperature of the surface and can compromise the surface and interlayer integrity, causing changes in the corrosion resistance and hardness of the carbon coating.

4

The creation of zone of pure iron as the effect of denitriding of iron nitrides [epsilon]+[gamma]' layer in the ion etching process

Smolik J.

Problemy Eksploatacji

|

2009

|

nr 3

141-149

EN

The paper presents research results of the influence of the ion etching process on the intensity of denitriding of iron nitrides [epsilon] + [gamma]' layer, obtained by the gas nitriding method on the surface of Armco. The influences of two different types of plasma atmospheres during the ion etching processes were investigated: metallic plasma (Cr+) and gas-metallic plasma (Cr++N+). The ion etching processes were executed by means of the arc sources. After the ion etching processes the CrN coating with the thickness of about 2-3 žm was deposited with the use of the arc-evaporation method. The structure obtained by ion etching and CrN deposition processes has been determined by means of scanning microscopy and EDS analysis. Thanks to the testing, the thickness of pure iron zone, which was created during the ion etching process, as the effect of denitriding of iron nitrides [epsilon]+[gamma]' layer, was define. Based on the obtained results the influence of the different type of plasma atmosphere during the ion etching process of iron nitride layer, on the intensity of creation of pure iron zone, was determined.

PL

W artykule przedstawiono efekt wpływu procesu trawienia jonowego na intensywność odazotowania warstwy azotków żelaza [epsilon]+[gamma]' wytworzonej w procesie azotowania gazowego na żelazie Armco. Procesy trawienia jonowego zrealizowano w plazmie metalicznej (Cr+) oraz metaliczno-gazowej (Cr++N+) z wykorzystaniem źródeł plazmy łukowej. Bezpośrednio po procesie trawienia jonowego na trawionym podłożu osadzano warstwę CrN o grubości 2-3 žm metodą łukowo-próżniową. Dla wszystkich badanych próbek, z wykorzystaniem mikroskopii skaningowej oraz liniowej analizy składu chemicznego metodą EDS, określono grubość warstwy czystego żelaza wytworzonej w wyniku procesu odazotowania podczas trawienia jonowego warstwy azotków żelaza [epsilon]+[gamma]'. Na podstawie uzyskanych wyników dokonano oceny wpływu składu środowiska plazmowego na intensywność procesu odazotowania analizy azotków żelaza [epsilon] + [gamma]' i tworzenia się warstwy czystego żelaza.

5

Wpływ nanopowłoki tlenkowej na pomiar napięcia powierzchniowego czystej cyny

Nowak R., Sobczak N., Lanata T., Ricci E., Korpała B.

Prace Instytutu Odlewnictwa

|

2009

|

T. 49, z. 4

5-13

PL

Badania napięcia powierzchniowego ciekłej cyny w warunkach wysokiej próżni wykonano metodą dużej kropli; wykorzystano uniwersalny zestaw aparaturowy do badań właściwości ciekłych metali i stopów w wysokiej temperaturze. Zastosowano dwie procedury przygotowania powierzchni metalu, tj. 1) próbkę cyny przed umieszczeniem w komorze próżniowej oczyszczono mechanicznie i w płuczce ultradźwiękowej, 2) powierzchnię tej samej próbki po pierwszym teście dodatkowo czyszczono jonowo, wykorzystując unikalną budowę zestawu aparaturowego umożliwiającą transfer próbki z komory preparatyki, wyposażonej w działo jonowe, do komory badawczej (wysokotemperaturowej) bez konieczności rozszczelniania aparatury próżniowej. W komorze preparatyki, w warunkach wysokiej próżni, próbkę poddawano czyszczeniu działem jonowym w celu usunięcia z jej powierzchni nanopowłoki tlenkowej. Następnie, nie otwierając kompleksu aparaturowego (brak kontaktu oczyszczonej próbki z powietrzem), za pomocą specjalnego manipulatora przenoszono próbkę najpierw do komory transferu (UHV), a następnie do komory badawczej (HV). Próbkę cyny umieszczono w tyglu szafirowym, nagrzewano do 700°C z szybkością ∼ 12°C/min i wykonano pomiary napięcia powierzchniowego. Kolejne pomiary wykonywano podczas chłodzenia do 300°C w trybie schodkowym co 50°C. Do obliczeń napięcia powierzchniowego wykorzystano oprogramowanie ASTRA-2 opracowane w CNR-IENI (Genua, Włochy). Pracę wykonano w ramach umowy o współpracy pomiędzy Instytutem Odlewnictwa oraz CNR-IENI, a uzyskane wyniki stanowią część badań pracy doktorskiej Tiziany Lanata, która odbyła staż naukowy w Instytucie Odlewnictwa.

EN

Surface tension of liquid tin under high vacuum was measured by the technique of large drop, using a versatile set of apparatus for high temperature testing of the properties of liquid metals and alloys. Two procedures of the metal drop surface preparation were applied, i.e. 1) the sample of tin before being placed in a vacuum chamber was cleaned mechanically and in an ultrasonic washer, 2) after the first test round, the surface of the same sample was additionally cleaned by ionic surface treatment, using for this purpose the apparatus of a unique design, which enabled the sample to be transferred directly and without the need to release the vacuum from the preparation chamber provided with an ionic gun to the high-temperature chamber. In preparation chamber, under the conditions of high vacuum, the sample was treated with ionic gun to remove from its surface the oxide nanocoating. Next, without opening the apparatus (no contact of the treated sample with air), by means of a special manipulator, the sample was moved to a transfer chamber (UHV), first, and to a measurement chamber (HV), next. The sample of tin was placed in a sapphire crucible and heated to 700°C at a rate of ∼ 12°C/min and, as a next step, the measurements of the surface tension were taken. The next series of the measurements was taken during the stepwise (every 50°C) cooling of the sample to 300°C. The surface tension was calculated using an ASTRA-2 program developed by CNR-IENI (Genoa, Italy). The calculations were done as a part of an agreement of cooperation between the Foundry Research Institute in Cracow and CNR-IENI in Italy. The results of the calculations were included in the doctor's thesis submitted by Ms Tiziana Lanata who was awarded a research scholarship at the Institute.

6

Wykorzystanie reaktywnego trawienia jonowego płytek szafirowych dla potrzeb biologii molekularnej.

Rapiejko C., Mitura A., Majak P., Hassard J., Mitura S.

Inżynieria Materiałowa

|

2000

|

R. XXI, nr 6

411-413

PL

W pracy przedstawiono możliwości reaktywnego trawienia jonowego podłóż szafirowych w celu uzyskania struktur powierzchniowych przy użyciu maski z fotorezystu. Wyniki uzyskane w procesie reaktywnego trawienia jonowego wskazują, że dla głębokości ok. 10 mikrometrów można uzyskać bardzo wysoką anizotropię procesu.

EN

A potential of reactive ion etching of saphire substrates in order to generate pattern using a photoresist mask is presented. The results show that it is possible to etch channels as deep on 10 micrometers with a high degree of anisotropy.