Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Przekładki kompensacyjne w zgrzewanych dyfuzyjnie złączach Al2O3 - Stal 15. Aspekty materiałowe i konstrukcyjne

Kaliński D., Chmielewski M.

Materiały Elektroniczne

|

2002

|

T. 30, nr 1-2

51-64

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących możliwości otrzymania zgrzewanego dyfuzyjnie złącza Al2O3 (przekładka) - stal 15 charakteryzującego się jak najkorzystniejszym rozkładem i niskim poziomem naprężeń własnych. Badania obejmowały analizę stanu naprężeń własnych termicznych przeprowadzoną metodą elementów skończonych, dla wybranych materiałów przekładek tj.: miedzi, stopu FeNi42 i molibdenu, o grubości w zakresie 0,1-1,0 mm. Prace prowadzono w odniesieniu do przekładek pojedynczych jak i warstwowych (dwumateriałowych).

EN

The paper presents the results of experiment concerning possibilities of obtaining Al2O3 (interlayer) - steel 15 joints by the diffusion bonding technique which should posses the most advantageous distribution and low level of thermal stresses. The experiment included the residual thermal stresses analyses performed using the finite element method (FEM) for chosen matrials of interlayers that is : copper, FeNi42 alloy and molybdenium. Thickness of the interlayer ranged from 0,1 nm to 1nm. The analyses were performed for single and double interlayer (Cu-Mo, CuFeNi42).

2

Naprężenia własne w monokrystalicznych płytkach krzemowych i ich wpływ na generację defektów krystalograficznych.

Piotrowski T.

Inżynieria Materiałowa

|

1999

|

R. XX, nr 5

534-537

PL

Badano rozkłady naprężeń własnych i rozkłady gęstości defektów krystalograficznych w monokrystalicznych płytkach krzemowych typu n (100). Badania prowadzono na wejściowych płytkach o różnej koncentracji międzywęzłowego tlenu po procesach termicznych symulujących proces utleniania w technologii CMOS, zbliżonych do procesów zalecanych standardem ASTM - F416/84. Defekty krystalograficzne ujawniono mieszaninami selektywnie trawiącymi Yang lub Wright. Rozkład naprężeń własnych był wyliczany z zależności teoretycznych dla przyjętego rozkładu temperatury wzdłuż promienia płytki. Przedstawiono wyniki obliczeń. Przyjmowano profil temperatury dający rozkład naprężeń obserwowany eksperymentalnie. Do badań rozkładu naprężeń stosowano metodę elastomeryczną w podczerwieni, spektroskopię ramanowską oraz pomiary płaskości - parametr NTV (nieliniowa zmiana grubości) Wykazano, że naprężenia własne wpływają na rozkład defektów krystalograficznych generowanych podczas procesów technologii CMOS. Defekty krystalograficzne nie są obserwowane eksperymentalnie na wszystkich specyficznych dla technologii CMOS obszarach lecz są obserwowane w obszarach gdzie wartość ogólna naprężeń jest największa. Obszar ten jest określony największymi naprężeniami własnymi. Najmniejsze gęstości defektów krystalograficznych są obserwowane na pierścieniu usytuowanym w okolicy połowy (0.65) promienia płytki, gdzie naprężenia styczne są małe i energia deformacji najmniejsza.

EN

Intrinsic stresses and crystallographic defects density profiles in <100> Czochralski silicon wafers were investigated. The investigations were performed on the input wafers with different interstitial oxygen concentrations subjected to thermal processes similar to ASTM - F416/84 requirements and on the same wafers after typical CMOS processes. Defects generation was analysed on diffused and oxidized wafer regions. Crystallographic defects were revealed by selective chemical etching in Yang or Wright solutions. Stress distributions resulting from intrinsic stress for various assumed temperature distributions were calculated from theory. The temperature distributions were assumed in theory to obtain stress distributions experimentally observed. Photoelastic and Raman spectroscopy methods were applied for investigation of intrinsic stress distributions in specially prepared two-side polished wafers, while for typical production wafers stress distributions were obtained from flatness parameters measurements NTV (nonlinear thickness variation) resulting mainly for proper polishing process from hardness changes. It was demonstrated that intrinsic stresses influence the crystallographic defects distribution during CMOS technology. Crystallographic defects are not observed experimentally on all specific for CMOS processes regions, where the stress value is the same, (for instance diffusion or field oxide areas), but they are observed in the regions where the total stress value is the largest. The distributions of these regions is defined by intrinsic stresses. The smallest defect density value is observed on the ring area situated in the distance of 0.65 radius from wafer centre where tangential stress are reduced to zero and the total elastic energy stresses is very small.

3

Badanie naprężeń własnych metodą ultradźwiękową w konstrukcjach spawanych po obróbce plazmowej.

Wysoczański W., Budzynowski T., Ostrowski B.

Inżynieria Materiałowa

|

1999

|

R. XX, nr 5

487-488

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań naprężeń własnych w próbkach ze stali X60 i stopu AlMg6 spawanych łukowo. Próbki przed spawaniem były cięte plazmą powietrzną. Spawanie realizowano dla próbek X60 metodą łukową przy pomocy elektrody typu UONI-13/55, a próbki ze stopu AlMg6 spawano metodą MIG. Naprężenia badano metodą ultradźwiękową i tensometryczną. Określono grubość warstwy tlenkowo-azotkowej powstającej w czasie cięcia plazmowego. Otrzymane wyniki wykazały przydatność metody ultradźwiękowej do szybkiego nieniszczącego pomiaru naprężeń własnych w materiałach spawanych.

EN

In this paper were presented results of testing internal stresses in tests of steel X60 and alloy AlMg6 after arc welding. The tests before welding were cutted with air plasma. The tests of steel X60 were welded with electrode UONI-13/55 and tests of alloy AlMg6 were welded with method MIG. The stresses were tested with ultrasonic and stain gouge methods. The depth of nitrided and oxided case were determined after plasma cutting. The results demonstrated suitability of ultrasonic method to quickly nondestructived measurements of internal stresses in welding materials.