Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  interfacial layer
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy analizowano zmiany struktury i tekstury zgrzewanych wybuchowo płyt aluminiowych i miedzianych o czystości technicznej ze szczególnym uwzględnieniem zmian, jakie następują w warstwach położonych w pobliżu strefy połączenia. Przeprowadzono badania z wykorzystaniem mikroskopii świetlnej, elektronowej mikroskopii skaningowej i analizatora GENESIS oraz systemu pomiaru orientacji lokalnych metodą dyfrakcji elektronów wstecznie rozproszonych. Dla zastosowanych parametrów technologicznych procesu spajania obserwowano silne zmiany geometryczne na powierzchni łączonych blach. W najczęściej obserwowanych przypadkach uzyskane połączenie można sklasyfikować jako płaskie lub faliste z fazą pośrednią. W wyniku przetopienia w strefie połączenia obserwowano tworzenie się fazy międzymetalicznej typu CuAln, przy wartości n zawartej w zakresie 1÷2,7. Wskazuje to na zmieniającą się koncentrację Cu w Al w zależności od analizowanego obszaru. Inną charakterystyczną cechą procesu spajania było występowanie silnego rozdrobnienia struktury po obu stronach warstwy fazy międzymetalicznej. Pomimo że proces rozdrobnienia obserwowany jest zarówno w miedzi, jak i w aluminium, to efekt ten wyraźniej występuje w miedzi; w blasze tej wy- stępuje grubsza strefa o ultradrobnym ziarnie.
EN
The changes of microstructure and texture in explosively bonded aluminium and copper sheets of technical purity observed in layers located near the bonding area were analyzed in the study (Fig. 1). The bonding process was investigated with multiscale analyzes using light microscopy and scanning electron microscopy equipped with electron backscattered diffraction facility for the measurements of local orientations. For the applied technological parameters of the bonding process, strong changes in geometry of surfaces of bonded plates have been observed (Fig. 2 and 3). In most observed cases, the bonding may be classified as 'flat' or 'wavy' one with an intermediate phase. As a result of melting in the bonding area, the formation of intermetalic layer phase of CuAln-type, with n= 1÷2.7 was observed (Fig. 4). This indicates changes in Cu and Al concentrations depending on the location of analyzed area, which leads to changes in mechanical properties (Fig. 5 and 6). Other characteristic features of the bonding process were: the strong grain refinement at the both sides of intermetalic layer (more clearly observed in Cu) and strong textural changes along ND in both sheets (Fig. 7÷10).
EN
Over the last decade there has been a significant amount of research dedicated to finding a suitable high-k/metal gate stack to replace conventional SiON/poly-Si electrodes. Materials innovations and dedicated engineering work has enabled the transition from research lab to 300 mm production a reality, thereby making high-k/metal gate technology a pathway for continued transistor scaling. In this paper, we will present current status and trends in rare earthbased materials innovations; in particular Gd-based, for the high-k/metal gate technology in the 22 nm node. Key issues and challenges for the 22 nm node and beyond are also highlighted.
3
EN
The paper reviews recent work in the area of high-k dielectrics for application as the gate oxide in advanced MOSFETs. Following a review of relevant dielectric physics, we discuss challenges and issues relating to characterization of the dielectrics, which are compounded by electron trapping phenomena in the microsecond regime. Nearly all practical methods of preparation result in a thin interfacial layer generally of the form SiOx or a mixed oxide between Si and the high-k so that the extraction of the dielectric constant is complicated and values must be qualified by error analysis. The discussion is initially focussed on HfO2 but recognizing the propensity for crystallization of that material at modest temperatures, we discuss and review also, hafnia silicates and aluminates which have the potential for integration into a full CMOS process. The paper is concluded with a perspective on material contenders for the "end of road map" at the 22 nm node.
PL
Zbadano wpływ związków o budowie ciekłokrystalicznej na aktywność krzemionki w kauczuku etylenowo-propylenowym (EPM). Zastosowano pochodne N-(2-aminoetylo)-4-alkenyloksybenzamidu (ALCx). Modyfikacja krzemionki przyczyniła się do bardziej równomiernego rozprowadzenia napełniacza w matrycy elastomerowej i wytworzenia dodatkowych wiązań pomiędzy polimerem a napełniaczem, co w konsekwencji prowadziło do wzrostu aktywności krzemionki. Zaobserwowano również, że występowanie fazy przejściowej pomiędzy napełniaczem i polimerem prowadzi do wyrównywania i łagodzenia naprężeń podczas odkształcania wulkanizatu.
EN
We study influence substance of liquid crystal structure on the activity of silica in ethylene-propylene rubber (EPM). Derivatives of N-(2-aminoethylo)-4-alkenyloxsybenzamid were used as modifiers. Modification of silica by (ALCx) leads to better dispersion of filler in elastomer matrix , creating additional bonds between polymer and filler and as a consequence increase of activity of silica. We observed also that intermediate layer between filler and elastomer leads to better dissipation of energy during deformation of vulcanizate.
PL
W artykule przedstawiono wybrane wyniki badań trwałości ostrzy narzędzi skrawających z powłoką azotku boru. W celu ograniczenia powstawania pęknięć adhezyjnych pomiędzy supertwardą powłoką a dużo bardziej miękkim podłożem z węglików spiekanych, w wyniku działających nacisków od wióra i przedmiotu obrabianego na ostrze w procesie skrawania, zastosowano warstwy przejściowe o twardości pośredniej w stosunku do materiału powłoki i podłoża. Powłoki z azotku boru wytwarzano metodą impulsowo-plazmową (PPD).
EN
In the paper the durability results of a cutting tools edges with boron nitride coatings are presented. For the purpose of a limitation of an influence of considerable difference between superhard coating and substrate hardness, leading to adhesion cracking, the interfacial layer was applied. The material of interfacial layer had intermediate hardness in relation to both coating and substrate materials. The boron nitride coatings were manufactured by pulse plasma method (PPD, allows to obtained coatings with contents of cubic boron nitride form.
EN
A mechanism in suggested for homopolymerization of styrene, which is based on interfacial tension (σ1,2), ζ-potential, and product particle size distribution measurements. The homopolymerization was carried out in the water phase at 60oC or 80oC under static conditions (no stirring) with no emulsifier used; it was initiated with K2S2O8. At the first stage, initiation of polymerization in the water phase yields surface active oligomeric radicals part of which, soluble in monomer, are transferred from the water to the monomer phase, according with their solubility. Polymerization continues at the interfacial layer. As a result of this transformation and initiation of polymerization the s1,2 tension becomes very low and the monomer gets crushed. Polymer—monomer particles are formed from the monomer drops. In the process of obtaining polymers in the polymer—monomer particles, the density of which is lower than that of monomer and the particles are detached from the interfacial boundary and are passing into the water phase which becomes turbid. At the initial stage of polymerization, the polymer—monomer particles formed from monomer microdrops vary in size (Figs. 7, 8) because the stability factors (ζ-potential-controlled electrostatic factor and structural-mechanical factors) are forming in time at the interfacial adsorption layer of polymer—monomer particles. This mechanism is inconsistent with the Fitch et al. theory of homogeneous nucleation of particles. Presumably the low σ1,2-value conditioned by processes occurring at the interfacial boundary in the systems investigated is the reason for particulation of the monomer phase and formation of microdrops which are the major source for the formation of polymer—monomer particles.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.