The paper investigates the effect of background radiation on the accuracy of temperature measurement by infrared radiation and defines the requirements to neglect multiple reflections of radiation. The theoretical analysis is confirmed by the results of modeling the temperature measurement radiation errors.
PL
W artykule przeprowadzono analizę wpływu promieniowania tła na dokładność pomiaru temperatury promieniowaniem podczerwonym. Zdefiniowano wymagania dotyczące możliwości pominięcia wielokrotnych odbić promieniowania. Analizę teoretyczną potwierdzono wynikami modelowania błędów radiacyjnych pomiaru temperatury.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Określono rozkład fali elektromagnetycznej w typowej strukturze detekcyjnej detektora fotonowego. Podano wzory na: współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz rozkład intensywności promieniowania w elemencie fotoczułym. Obliczono maksymalne do uzyskania parametry detekcyjne fotorezystorów z (Hg,Zn)Te. Zilustrowano współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz intensywność promieniowania w elemencie fotoczułym umieszczonym w optymalnej optycznej wnęce rezonansowej. Obliczono graniczne znormalizowane wykrywalności termiczne niechłodzonych (T=300K) detektorów fotonowych z (Hg,Zn)Te.
EN
Distribution of electromagnetic wave has been determined in a typical detection structure of a photon detector. Formulas have been given for: external quantum efficiency and distribution of radiation intensity in a photosensitive element. Maximal detection parameters of (Hg,Zn)Te photoresistors have been calculated. External quantum efficiency and radiation intensity in a photosensitive element located in the optimal optical resonance cavity have been illustrated. Ultimate normalized thermal detectivity of the uncooled (T=300K) (Hg,Zn)Te photon detectors has been calculated.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W artykule określono rozkład fali elektromagnetycznej w typowej strukturze detekcyjnej detektora fotonowego. Podano wzory na: współczynnik wydajności kwantowej, rozkład intensywności promieniowania, gęstości prądu oraz rozkład koncentracji nośników ładunku w elemencie fotoczułym. Obliczono graniczne i aktualnie maksymalne do uzyskania parametry detekcyjne fotorezystorów z (Hg, Zn)Te. Zilustrowano współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz intensywność promieniowania w elemencie fotoczułym umieszczonym w prostej optycznej wnęce rezonansowej.
EN
The paper determines electromagnetic wave distribution in a typical detection structure of a photon detector. Formulas have been given for quantum efficiency coefficient, radiation intensity distribution, current density and distribution of charge carrier concentration in a photosensitive element. Detection borderline and current maximum parameters have been calculated which can be obtained for (Hg,Zn)Te photoresistors. External quantum efficiency coefficient and radiation intensity have been illustrated in a photosensitive element located within a simple optical resonance cavity.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.