Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: intensywność oświetlenia

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza rozkładu oświetlenia metodą izohelii

Górko M.

Zeszyty Naukowe. Geometria i Grafika Inżynierska / Politechnika Śląska

2009

z. 7

7-13

W artykule omówiono metodę analizowania intensywności oświetlenia za pomocą techniki izohelii. Metoda ta opiera się na wykorzystaniu zdjęć cyfrowych oraz programu Photoshop, który stosowany jest to obróbki obrazu. Istotą metody jest ingerencja w krzywą charakterystyczną obrazu, co pozwala na dowolne przedstawienie rozkładu półtonów.

This paper describes how light distribution over surfaces or in interior can be analyzed using a image-processing software. A technique called "izohelia" is very useful for that purpose - it enables the user to divide the image into a series of zones of equal brightness. A few examples are also discussed - among them two examples how a building shall not be lighted, and with one example of proper lighting.

Effect of illumination on 1/f noise and transport characteristics of a monocrystalline silicon solar cells

Ibrahim A., Chobola Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 12

14-17

Spectra of low frequency noise in a large area monocrystalline silicon solar cells are investigated at different illumination intensities at 300 K. It is found that under illumination the fluctuations of the photovoltage make the largest contribution to the excess noises. It is shown that these fluctuations are generated in the space charge region and their peculiarities depend not only on the voltage bias but also on the level of illumination L. A variety of other characteristics of the silicon solar cells are found to be conditioned by the illumination level. Such changes may be explained either by a decrease in the carrier life-time in the space charge region or by an increase of the width of it. At the same time the current-voltage characteristics of the silicon solar cells are dependent on the level of illumination, in forward direction an increase of the photovoltage is obtained, but in the reverse direction an increase of the photocurrent takes place with increasing level of illumination. Also for the same silicon solar cells the capacitance – voltage characteristics are measured under different illumination intensities at a constant frequency. It is found that the capacitance under different illumination levels is decreased (to be 25% of its initial value).

Badano widma szumów małej częstotliwości monokrystalicznych krzemowych ogniw słonecznych o dużej powierzchni przy różnych intensywnościach oświetlenia w temperaturze 300 K. Stwierdzono, że przy oświetleniu fluktuacje te są generowane w obszarze ładunku przestrzennego, a ich właściwości zależą od napięcia polaryzacji i od poziomu oświetlenia L. Szereg innych charakterystyk krzemowych ogniw słonecznych jest zależnych od poziomu oświetlenia. Zmiany te można tłumaczyć bądź skróceniem czasu życia nośników w obszarze ładunku przestrzennego bądź też zwiększeniem szerokości tego obszaru. Charakterystyki prądowo-napięciowe krzemowych ogniw słonecznych zależą od poziomu oświetlenia. Ze wzrostem poziomu oświetlenia występuje dla polaryzacji w kierunku przewodzenia wzrost fotonapięcia, natomiast w kierunku zaporowym ma miejsce wzrost fotoprądu. Z charakterystyki pojemnościowo-napięciowej przy różnych poziomach oświetlenia wynika, że pojemność zmniejsza się (do 25% wartości początkowej) ze wzrostem poziomu oświetlenia.