Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2017

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: intensity of light

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination

Bychto L., Maliński M.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 8

35--38

This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.

Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.