Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2006

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: influence of the power of RF generator

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Struktura warstw a-SiC:N otrzymanych metodą RFCVD

Kluska S., Jonas S., Moryc U., Moryc U.

Inżynieria Materiałowa

2006

Vol. 27, nr 1

14-18

W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu mocy generatora RF na strukturę warstw a-SiCN:H. W ostatnich latach wzrastajacym zainteresowaniem cieszą się warstwy SiCN ze względu na ich ciekawe chemiczne i fizyczne właściwości. Krystaliczne warstwy c-SiCN charakteryzują się wysoką twardością (do 30 GPa), odpornością na utlenianie (do 1600 stopni C), szerokim pasmem wzbronionym (2,8 - 3,8 eV). Amorficzne warstwy a-SiCN:H otrzymano przy użyciu metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy generowanej przez fale o częstotliwości radiowej (13,56 MHz)- metoda EFCVD z reaktywnych mieszanin gazowych: SiH4, Ch4,N2,H2. Warstwy te osadzono na podłożach krzemowych Si(001) w temperaturze 400 stopni C przy różnych mocach generatora RF. W badaniach szczególną uwagę zwrócono na strukturę warstw otrzymywanych przy różnych mocach generatora RF. Badania przeprowadzono przy użyciu spektroskopii w podczerwieni. W badaniach FTIR wyróżniono ugrupowania Si-C, Si-N, CH3, CH2, C=N, C= N. Przeprowadzono również obliczenia teoretcznych widm spektroskopowych struktur zbudowanych z atomów Si-C-N przy zastosowaniu programu chemicznego Gaussian 98 z wykorzystaniem metody B3LYP/6-31G +(d, p).

The present work contains results of investigations of the influence of the power of RF generator on the film structure ( a-SICN:H) during deposition. Silicon carbon nitride layers have attracted much attention in recent years because of their many excellent physical and chemical properties. Silicon carbonitride layers with highly desirable properties like high hardness (to 30 GPa for SiCN crystals) and chemical resistance are promising materials for high temperature applications. Cristalline-SiCN layers characterized high oxidation reistance (to 1600 degree Celsius), wide band gap (2.8 - 3.8 eV) and high termal conductivity. Amorphous hydrogenated silicon carbon nitride thin films were deposited on Si(001) substrates by radio frequency chemical vapour deposition (RFCVD) method using gas mixture of SiH4, Ch4, N2, H2. Amorphous SiCn:H films were obtained at temperature 400 degree celsius at various power of RF generator. The main attention of investigators was devoted to problem of the SiCN synthesis using different power of RF genarator and the study of structure layers obtained by RFCVD. The structure and composition of layers were characterized with Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. FTIR analysis indicates that S-C, Si-N, CH2, CH3, C-N and C=N bondes are presented in a-SiCN:H. The theoretical vibrational spectra of the Si-C-N-H structures have been calculated. All computations have been carried out with Gaussian 98 program package using B3LYP method and 6-31G+ (d, p) basis set.