Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: indum antimonide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Czujniki Halla z silnie domieszkowanych epitaksjalnych warstw n-lnSb

Oszwałdowski M., Berus T., Zimniak M.

Przegląd Elektrotechniczny

2004

R. 80, nr 2

88-92

W artykule przedstawiono zasadę działania czujnika pola magnetycznego, opartą na wykorzystaniu zjawiska Halla. Omówiono podstawowe parametry czujnika, zależności między nimi i ich wpływ na czułość, liniowość i stabilność termiczną. Wykazano, że stosując InSb o różnym stopniu domieszkowania donorowego, można wytworzyć czujniki Halla sygnałowe, o dużej czułości, jak i bardzo dobre czujniki Halla pomiarowe o dobrej liniowości i dużej stabilności termicznej. Stosując, opracowaną w Instytucie Fizyki Politechniki Poznańskiej technologię wytwarzania cienkich warstw epitaksjalnych InSb na podłożach z i-GaAs. wykonano pomiarowe czujniki Halla. Omówiono ich budowę i własności. Przedstawiono porównanie otrzymanych czujników z wybranymi czujnikami innych firm. Przedstawiono perspektywę konstrukcji czujnika Halla z dwuwymiarowym gazem elektronowym wewnątrz cienkiej warstwy niedomieszkowanego InSb.

The article presents the operating principle of magnetic field sensors, based on the Hall effect. Basic parameters of Hall sensors were discussed, their common dependence and their influence on the sensitivity, linearity and thermal stability. It was shown that by using variously donor-doped indium antimonide it is possible to produce signal Hall sensors, with high sensitivity, as well as very good measurement Hall sensors with good linearity and high thermal stability. Using the technology developed at Poznań University of Technology of manufacturing thin epitaxial films of InSb on i-GaAs substrates, measurement Hall sensors were produced. Their construction and properties were discussed. Comparison of sensors produced and some chosen ones of other producers was also presented. A prospect of producing Hall sensors with two dimensional electron gas inside a thin layer of undoped InSb was presented.