Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: indukcyjność pasożytnicza

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie efektów pasożytniczych w kondensatorach polimerowych

Hapka A.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 9

33-37

Artykuł poświęcono porównaniu nowych kondensatorów polimerowych, charakteryzujących się bardzo małymi rezystancjami ESR, z rozpowszechnionymi kondensatorami elektrolitycznymi aluminiowymi. Zaproponowano rzeczywiste modele dla elementów obu typów oraz oszacowano dokładność tych modeli. Przeprowadzono symulacje stanów przejściowych w typowym podukładzie aplikacji kondensatorów przy założeniu ich idealności oraz przy uwzględnieniu występujących w nich efektów pasożytniczych.

In the paper a comparison of new polymer capacitors, characterized by a very small Equivalent Series Resistance (ESR), and of widespread aluminum capacitors is presented. Real and effecitve models are developed for components of both types, and the accuracy of these models is estimated. Simulations of transient states in a typical for capacitors application subsystem have been performed with their ideality assumed and, as well, with the parasitic effects taken into account.

Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych

Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 12

27-30

W pracy przedstawiono popartą wynikami badań dyskusję nad specyfiką pracy tranzystorów MOSFET w układach mostków, przeznaczonych do pracy z wysoką częstotliwością przy napięciach 300 V lub wyższych. Na podstawie eksperymentów laboratoryjnych oraz symulacji w SPICE rozpoznano warunki przełączania charakteryzujące się z wielkimi stromościami narastania napięcia i prądu i wynikającymi stąd sprzężeniami pomiędzy obwodem głównym i obwodami sterowników bramkowych. Dzięki znajomości zjawisk możliwe jest podjęcie wskazanych w referacie środków prowadzących do zwiększenia odporności układów na interferencję elektromagnetyczną oraz do zmniejszenia strat łączeniowych.

The paper presents discussion based on research results and devoted 3 specific very fast switching processes of high voltage power MOSFET a transistors, which occur in bridge converters operating with high frequency. With SPICE simulations and experimental measurements, specific ii switching conditions with very high dv/dt and di/dt which cause strong / electromagnetic coupling interference between main and driver circuits were recognized. Thanks to the knowledge gained, appropriate means could be proposed for decreasing switching losses and better electromagnetic interference resistance.