Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: indium oxide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie wpływu wybranych tlenków metali na możliwość modyfikacji barwy ceramicznej farby purpurowej

Karaś A., Chmielewska D., Synowiec B.

Szkło i Ceramika

2016

R. 67, nr 6

15--18

Ceramiczna farba purpurowa składa się z pigmentu nieorganicznego Purpury Kasjusza i odpowiednio dobranego topnika. Farba znajduje szerokie zastosowanie w zdobieniu porcelany zarówno w technice malarskiej, jak i w technice sitodruku pośredniego (kalki ceramicznej). Przeprowadzone badania miały na celu ustalenie wpływu domieszek tlenków metali na możliwość uzyskiwania różnych odcieni barwy purpurowej i fioletowej. Do ceramicznej farby purpurowej na bazie bezołowiowego topnika, na różnych etapach jej wytwarzania, dodawano następujące tlenki metali: tlenek srebra Ag2O, tlenek chromu Cr2O3, tlenek miedzi CuO, tlenek indu In2O3, tlenek itru Y2O3, tlenek kobaltu Co3O4 i określano parametry barwy L*a*b* uzyskanych farb w stosunku do farby wzorcowej, bez żadnych dodatków. W wyniku przeprowadzonych badań wykazano, że stosując domieszkowanie tlenkami metali na różnych etapach wytwarzania farby purpurowej, można uzyskać różne odcienie purpury i fioletu, a przy modyfikacji barwy farby ważny jest również etap dodawania domieszek.

Ceramic purple colour consists of Purple of Cassius inorganic pigment and properly chosen flux. The colour is widely used for decoration of porcelain both in painting technique as well as in technique of indirect screen printing (decal). The aim of the carried out tests was to settle influence of metal oxides’ admixtures upon possibility of obtaining various shades of purple and violet colour. The following metal oxides were being added to the ceramic purple colour on the base of its leadless flux, at various stages of its manufacturing: silver oxide Ag2O, chromium oxide Cr2O3, cupric oxide CuO, indium oxide In2O3, yttrium oxide Y2O3, cobaltic oxide Co3O4 and parameters of colour L*a*b* of the obtained colours were defined comparing to the pattern colour, without any admixtures. As the result of the carried out tests it was shown, that performing admixtures of metal oxide at different stages of purple colour’s manufacturing, various shades of purple and violet can be obtained, and during modification of colour the stage of admixtures’ addition is important as well.

Significant effect of oxygen atmosphere on the structure, optical and electrical properties of Ti-doped In2O3 transparent conductive thin films

Dong C. J., Yu W. X., Xu M., Chen C., Song Z. Y., Li L., Wang Y. D.

Optica Applicata

2011

Vol. 41, nr 3

765--775

Titanium-doped indium oxide (In2O3) transparent conductive thin films were deposited on glass and sapphire (0001) substrates with/without oxygen atmosphere by DC magnetron sputtering at 300 °C. The content of titanium is estimated to be about 1.8 at.% using energy dispersive spectroscopy. The smooth surfaces were covered with more uniform octahedral grains. X-ray diffraction measurements indicated that the preferential growth orientation along the (400) plane for the sample grown without oxygen atmosphere shifts to (222) for the sample grown in the oxygen atmosphere. The average optical transmittance of the sample grown with the introduction of oxygen varies from 70% to 90% in the visible region, which corresponds well to the variation of carrier and mobility. Hence, both intermediate dopant and oxygen atmosphere will provide the optimum balance between carrier concentration and mobility leading to the best transport properties of Ti-doped In2O3 films.

Wytwarzanie i właściwości fizyko-chemiczne cienkich półprzewodnikowych warstw tlenku indu do czujników gazów

Lugin V., Zarskij I., Zukovski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

272-275

Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3.

In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established.