Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badanie właściwości cienkich warstw tlenków cynku otrzymywanych metodą reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego

Wiatrowski Artur, Posadowski Witold, Wojcieszak Damian, Mazur Michał, Obstarczyk Agata, Zięba Aneta

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 7

10--13

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań technologii otrzymywania warstw ZnOx metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Badano charakterystyki elektryczne procesów reaktywnych podczas rozpylania targetu Zn w obecności mieszaniny argon + tlen, identyfikując mod rozpylania magnetronowego. Określono warunki technologiczne, przy których osadzone warstwy miały właściwości zbliżone do właściwości stechiometrycznego tlenku cynku. Morfologia przekroju powierzchni wytworzonych warstw wskazała na budowę matrycy/osnowy dielektrycznej z wtrąceniami metalicznymi przy małym poziomie mocy krążącej, gdy strukturę włóknistą/kolumnową miały warstwy otrzymane przy dużych wartościach mocy krążącej. Współczynnik załamania światła wytworzonych warstw był w zakresie 1,97 ÷ 1,98. Badania przedstawione w pracy pokazały, że parametry procesu osadzania miału duży wpływ na wartość współczynnika ekstynkcji światła.

EN

This paper provides the results of research investigation of pulsed reactive magnetron sputtering method for preparation of ZnOx thin films. For identification the magnetron sputtering mode, the electrical characteristics of the reactive processes during sputtering of Zn target in the mixed argon + oxygen atmosphere were investigated. Technological conditions at which deposited films had properties similar to stoichiometric zinc oxide were determined. The morphology of films crosssection indicate that the structure of dielectric matrix/wrap with metallic inclusions was obtained at a low level of circulating power, while coatings obtained at high circulating power values had fibrous/column structure. The refractive index of the prepared films was in the range of 1.97 to 1.98. Research presented in this work showed that the parameters of sputtering had an effect on the value of the extinction coefficient.

2

Warstwy Mg2Si nanoszone metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

Mars K., Godlewska E., Augustyniak M., Mitoraj M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 2

108-110

PL

Celem niniejszej pracy było otrzymanie warstw krzemku magnezu (Mg2Si) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. W pierwszym etapie opracowywanej technologii otrzymano proszek krzemku magnezu poprzez zastosowanie samorozwijającej się syntezy wysokotemperaturowej SHS (ang. Self-Propagating High-Temperature Synthesis). Z uzyskanego proszku, metodą spiekania na gorąco zostały wytworzone gęste spieki przydatne do produkcji targetów. Syntezę warstw Mg2Si prowadzono w aparaturze próżniowej NP - 501A produkcji TEPRO Koszalin. W cylindrycznej komorze próżniowej zainstalowano planarną wyrzutnię magnetronową współpracującą z zasilaczem Dora Power System (DPS). Zasilacz DPS przystosowany jest do zasilania urządzeń rozpylających, generując impulsy z częstotliwością 80 kHz, co pozwala określić stosowaną technikę magnetronową jako impulsową (ang. Pulsed Magnetron Sputtering). Otrzymane warstwy analizowano pod kątem składu chemicznego, fazowego i struktury przy użyciu niskokątowej dyfraktometrii rentgenowskiej (ang. Grazing Incidence Diffraction – GID), oraz mikroskopii skaningowej.

EN

The objective of this study was to deposit stoichiometric layers of magnesium silicide (Mg2Si) by pulsed magnetron sputtering. Magnesium silicide powder obtained by Self-Propagating High-Temperature Synthesis was hot pressed (HP) and the obtained dense sinter was suitable for the production targets. Mg2Si layers were deposited in a vacuum chamber (NP – 501A TEPRO Koszalin) equipped with one magnetron with a planar target, 50 mm in diameter. A pulsed power supply, Dora Power System, was used in the sputtering process. The power supply was generating sinusoidal pulses with a frequency of 80 kHz and group modulation of 2.5 kHz. Because of the type of the power supply, the method is referred to as Pulsed Magnetron Sputtering. The obtained layers were characterised by X-ray diffraction (GID), scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectrometry (EDS).

3

System pomiarowy do dynamicznej spektroskopii widma emisyjnego plazmy TR-OES do diagnostyki plazmy wyładowania jarzeniowego w układzie magnetronowym zasilanym impulsowo

Wiatrowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

89-94

PL

Artykuł podejmuje tematykę budowy systemu pomiarowego do dynamicznej spektroskopii optycznego widma emisyjnego plazmy (ang. Time-Resolved Optical Emission Spectroscopy - TR-OES). Przedstawione rozwiązanie projektowano pod kątem zastosowania tego układu do diagnostyki plazmy wyładowania jarzeniowego wytwarzanego przez magnetronowy układ rozpylający zasilany impulsowo. W artykule omówiono zasadę działania, nakreślono podstawy konstrukcji oraz przedstawiono przykładowe wyniki zarejestrowane przy użyciu zaproponowanego rozwiązania.

EN

The article discusses the construction of measurement system for Time Resolved Optical Emission Spectroscopy (TR-OES). The described solution was designed in terms of its application for diagnostics of glow discharge plasma in a pulsed magnetron sputtering deposition system. This article discusses the principle of operation, outlines the basis of the electronic circuitry design, shows sample results obtained using the proposed solution.

4

Warstwy (Cr-Si)O nanoszone techniką magnetronową na CoSb₃

Zawadzka K., Godlewska E., Mars K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

69-71

PL

Głównym problemem aplikacyjnym CoSb₃ - materiału podłożowego zastosowanego w niniejszej pracy - jest degradacja właściwości termoelektrycznych związana z sublimacją antymonu oraz małą odpornością na utlenianie w powietrzu w podwyższonych temperaturach [1-3]. Tym niepożądanym procesom można zapobiec przez naniesienie odpowiedniej powłoki ochronnej. Powłoka powinna stanowić barierę dla dyfuzji tlenu oraz antymonu oraz nie wchodzić w reakcję z materiałem podłoża. Dotychczas najlepiej poznane zostały systemy zabezpieczające materiały na osnowie CoSb₃ przed utratą antymonu. Badania dotyczyły głównie powłok metalicznych, np. niobowych [4], ceramicznych, np. MgAl₂ O₄ [5] oraz aerożelowych [6]. Autorzy niniejszej pracy podjęli próby wytworzenia warstw ograniczających nie tylko sublimację antymonu, ale również utlenianie antymonu i kobaltu. Obiecujące wyniki przyniosly eksperymenty nanoszenia grubych powłok amorficznych [7] a także stosunkowo cienkich warstw ceramiczno-metalicznych osadzanych techniką rozpylania magnetronowego [8], co dało podstawę do badań zmierzających do wytworzenia warstw typu (Cr-Si)O, które miałyby tę zaletę, że wykluczałyby występowanie przebić elektrycznych w warunkach pracy materiału termoelektrycznego. Warstwy (Cr-Si)O o różnej zawartości krzemu były osadzane na materiale termoelektrycznym CoSb₃ przy zastosowaniu techniki impulsowego rozpylania magnetronowego. Ich właściwości ochronne oceniano na podstawie testów utleniania w powietrzu. Badano mikrostrukturę oraz skład chemiczny i fazowy powierzchni oraz obszarów w pobliżu granicy rozdziału warstwa/podłoże przed i po testach.

EN

The basic application-related problem of CoSb₃ - the substrate material in this work - is instability of its composition (antimony sublimation and oxidation of both components) and properties at elevated temperature [1-3]. This deficiency can be overcome by means of a suitable protective coating. The coating should block the diffusion of antimony and oxygen and should be inert in contact with the substrate. The majority of protective systems developed for CoSb₃ - based materials were focused on prevention of antimony loss, e.g. Nb [4], ceramic coatings, e.g. MgAl₂ O₄ [5] and aerogel coatings [6]. The authors of this work have undertaken studies on the oxidation-resistant coatings for CoSb₃. Promising results obtained recently in the case of thick amorphous coatings [7] and the relatively thin ceramic - metallic coatings deposited by magnetron sputtering [8], encouraged further experiments with (Cr-Si)O layers, which would have an advantage of eliminating electrical shorting in service of thermoelectric devices. In this work, the (Cr-Si)O layers with two different concentrations of silicon (5 and 40 al.%) were deposited on the CoSb₃ substrates by magnetron sputtering. Their protective properties were evaluated based on oxidation tests in air at elevated temperature. The microstructure, chemical and phase composition of specimen surface and regions close to the coating/substrate interface were examined in the as-received condition and after the exposure.

5

Efektywne, niskotemperaturowe osadzanie tlenku indowo-cynowego (ITO) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

Cichy B., Posadowski W., Górecka-Drzazga A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

101-103

PL

Badano proces osadzania cienkich warstw tlenku indowo-cynowego (ITO) na podłoża szklane metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego targetu ITO (90% In₂O₃, 10% SnO₂) w temperaturze pokojowej. W celu poprawienia elektrycznych i optycznych właściwości napylonych warstw po procesie rozpylania wygrzewano je w próżni. Wygrzane warstwy charakteryzowały się niską rezystywnością około 10⁻⁴ Ω oraz wysoką transmisją światła w zakresie widzialnym, sięgającą 85%.

EN

Results of the room temperature deposition of indium-tin (ITO) layers from In₂O₃ : SnO₂ target (10% SnO₂) by pulsed magnetron sputtering are presented. ITO thin layers were deposited on the glass substrates. Sputtering process was performed in pure Ar and Ar + O₂ mixture. Post deposition vacuum annealing of ITO thin films caused meaningful decrease of their resistivity. The transparency of obtained layers was greater than 85% in visible spectrum.

6

Nanoszenie warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

Posadowski W. M., Wiatrowski A.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2005

|

z. 153

25-32

EN

Aluminium films doped with oxygen were obtained during pulsed sputtering using high-power megnetron (target of 50 mm in diameter). Surface condition of the target (magnetron mode) sputtered at various pressures of reactive gas was estimated from the change of working gas pressure during sputtering, deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate of transparent aluminium oxide films was equal to the deposition rate of aluminium films (obtained at metallic mode). So high efficiency was the result of sputtering an aluminium target, not poisoned with the reactive compound.