Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: implantacja plazmowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w cz. (13,56 MHz)

Bienek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

9-10

Przedstawione w pracy eksperymenty są częścią szerszych studiów mających na celu zbadanie możliwości zastosowania jednocześnie obu etapów wytwarzania warstwy dielektrycznej, np. ultrapłytkiej implantacji jonów azotu i utleniania w jednym stanowisku technologicznym.

Presented in this work experiments are a part of a broader study that examines the possibility of conducting both stages of creation of the dielectric (e.g. ultra-shallow nitrogen implantation and silicon oxidation) in one technological reactor.

Zatosowanie technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów

Gronau R., Szmidt J., Gotszalk T., Marendziak A., Konarski P., Rylski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

11-12

Opisano badania mające na celu zweryfikowanie możliwości płytkiej implantacji jonów z wykorzystaniem plazmy RF i korelacji parametrów procesu implantacji z właściwościami podłoża krzemowego po tym procesie. Wpływ zaimplantowanych jonów węgla określono porównując parametry kondensatorów MOS na podłożu krzemowym domieszkowanym węglem i z parametrami kondensatrów wykonanych tą samą technologią na czystym podłożu krzemowym. Powierzchnię podłoża krzemowego zbadano, używając mikroskopu sił atomowych AFM, spektrometrii mas jonów wtórnych SIMS, a także spektroskopii elektronów Augera AES. Na podstawie wykonanych analiz parametrów elektrycznych stwierdzono, że proces płytkiej implantacji jonów z plazmy RF jest możliwy.

The research of a phenomenon of shallow carbon ion implantation into silicon substrate and correlation between the implantation process and silicon substrate properties was described in this article. The implantation was carried out in the RF plasma environment during carbon layer deposition in course of Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) process. Electronic parameters of MOS capacitors fabricated on undoped substrate were compared to the ones produced on carbon implanted wafer. This was done in order to determine properties of substrates surface neighbouring region. The surface of post implanted silicon substrate was investigated by atomic force microscopy (AFM), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and Auger spectrocsopy (AES). It was stated that the shallow ion implantation process is possible on basis of analysis of electronic parameters.