The paper presents the results of direct, low energy implantation investigations, using the SIMS apparatus. The retained dose for the Cu and Ag samples as a function of irradiation dose of the Cs+and K+ ions, as a primary beam was measured. From such relation the range profiles of implanted ions were calculated. The comparisons with the results of the computer simulation and analytical theory are also presented.
PL
W pracy zostały przedstawione wyniki badań dotyczące implantacji niskoenegetycznej przeprowadzone przy użyciu spektrometru mas jonów wtórnych. Dokonane zostały pomiary zależności dawki jonów Cs+ lub K+ zaimplantowanych do tarczy Cu i Ag od dozy jonów pierwotnych (Cs+lub K+) bombardujących powierzchnie próbki. Na podstawie otrzymanych krzywych nasycenia sporządzono profile głębokościowe zaimplantowanych jonów. Porównano również wyniki otrzymane z symulacji komputerowej z danymi uzyskanymi w oparciu o model analityczny.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.