Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Karbo

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: hydrogenated carbon

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Właściwości elektryczne cienkich warstw a-C:H wytwarzanych metodą nakładania plazmowego z pentanu

Pietrzyk B., Tyczkowski J.

Karbo

2000

Nr 4-5

161-164

Amorficzne warstwy uwodornionego węgla (o-C:H) wytwarzano z par pentanu w trójelektrodowym reaktorze plazmowym z wyładowaniem jarzeniowym o częstotliwości 20 kHz. Przeprowadzono badania przewodnictwa elektrycznego tych warstw. Ustalono, że dominującym mechanizmem przewodnictwa jest generacja Poble'a-Frenkela. Wykazano również brak w badanych warstwach występowania zjawiska przejścia: amorficzny izolator (a-I) - amorficzny półprzewodnik (a-S), obserwowanego we wszystkich innych warstwach wytwarzanych w takich samych warunkach z tctraalkilowych pochodnych wąglowców (Si, Ge, Sn, Pb). Wynik ten pozwoli lepiej zrozumieć naturę przejścia a-I-a-S.

Amorphous films of hydrogenated carbon (a-C:H) generated from pcntanc vapours in tri- electrode plasma reactor with glow discharge with 20 kHz frequency. Electric conductivity of the films has been conducted. It has been determined that Poolc - Frenkcl generation is a dominating mechanism of conductivity. The lack of transfer phenomenon occurrence in investigation films was also determined: amorphous insulator (a-1) amorphous semiconductor (a-S) observed in all other films generated in the same conditions with tctra-alkalinc hydrocarbon derivatives (Si, Gc, Sn, Pb). The result will allow for better under standing of transfer nature a-1 - a- S.