Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

Paszkiewicz B., Wośko M., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

58-60

PL

Azotki są doskonałymi materiałami do wytwarzania szeregu elementów. W WEMIF PWr prowadzono badania nad zastosowaniem heterostruktur AlGaN do wytwarzania tranzystorów mikrofalowych, biosensorów i czujników gazów. W artykule przedstawiono charakterystyki tranzystorowych czujników wodoru typu AlGaN/GaN FAT-HEMT {FAT-High Electron Mobility Transistors) z bramką katalityczną Pt. Pokazano, że tego typu czujniki mogą być stosowane do detekcji wodoru w szerokim zakresie koncentracji od 0,1 ppm do 10000 ppm.

EN

Nitrides are attractive materials for numerous devices applications. The researches were carried out at WEMiF WrUT devoted to application of AlGaN/GaN heterostructures for fabrication of microwave HEMT transistors, biosensors and gas sensors. The article presents the hydrogen sensing characteristics of FAT-type AlGaN/GaN HEMT with catalytic Pd electrode. It was shown that FAT type Pt/AIGaN/GaN HEMTs have the ability to detect hydrogen in wide range of hydrogen concentration from 0.1 ppm to 10000 ppm.

2

Badania zmian własności przewodnictwa elektrycznego warstw palladowo-węglowych pod wpływem gazów zawierających związki wodoru

Kowalska E., Radomska J., Wronka H., Czerwosz E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 10

61-64

PL

Nanostrukturalne/porowate warstwy węglowo-palladowe (C-Pd) wykazują właściwości świadczące o możliwości zastosowania ich w czujnikach wodoru i/lub związków wodoru. Warstwy C-Pd otrzymuje się w ITR metodą dwuetapową stosując proces fizycznego naparowania w próżni (PVD – I etap) a następnie modyfikując warstwę z I etapu w procesie chemicznego osadzania z par ksylenu (CVD - II etap). W pracy przedstawiamy wyniki badań zmian przewodnictwa elektrycznego nanostrukturalnych warstw C-Pd o różnej budowie (topografii i morfologii) zachodzące pod wpływem mieszanki gazowej zawierającej węglowodory CxHX o różnej koncentracji.

EN

Nanostructural/porous carbonaceous – palladium (C-Pd) films can be applied as active layers in hydrogen and/or hydrogen compounds sensor applications. The C-Pd films were obtained in Radio&TeleResearch Institute in two stages method using physical vapor deposition process (PVD) as a first stage and chemical vapor deposition process (CVD) as a second one. In this paper we present results of studies of electrical conductivity changes in nanostructural C-Pd films with different topography and morphology due to mixture of gases containing hydrocarbons CxHx with different concentration.

3

Metoda syntezy nanoporowatych materiałów węglowo-palladowych

Kowalska E., Czerwosz E., Radomska J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

32-35

PL

W artykule opisano materiały nanoporowate ze szczególnym uwzględnieniem węglowych materiałów porowatych. Scharakteryzowano różne metody otrzymywania materiałów porowatych o dobrze rozwiniętej powierzchni właściwej. Omówiono metodę wytwarzania nanoporowatych materiałów węglowo-palladowych, opracowaną w ITR. Zaprezentowano możliwość aplikacji uzyskanych warstw jako warstwy aktywne w detektorach wodoru i jego związków.

EN

Nanoporous materials with partteular consideration carbonaceous porous materials were described. Various methods of synthesis of materials with a high specific surface area were characterized. The method of production of carbonaceous-pallad nanoporous materials, invented in Tele and Radio Research Institute was discussed. Obtained nanoporous films can be used as active layers in hydrogen sensors application.