PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  hopping conductivity
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Skokowa wymiana elektronów a przewodnictwo stałoprądowe zawilgoconej izolacji papierowo-olejowej transformatorów wysokonapięciowych
Zhukowski P., Szrot M., Subocz J., Gutten M., Korenciak D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
361-363
PL
W artykule zbadano zależności konduktywności stałoprądowej zawilgoconego preszpanu elektrotechnicznego od stopnia zawilgocenia i temperatury próbek. Określono energię aktywacji konduktywności. Ustalono, że przewodność odbywa się na drodze skokowej wymiany elektronów pomiędzy studniami potencjału wytworzonymi przez molekuły wody umieszczone w strukturze amorficznej celulozy nasączonej olejem. Na tej podstawie wyznaczono zależności teoretyczne które w sposób bardzo dokładny opisują zależności doświadczalne konduktywności od zawartości wody i temperatury.
EN
The article presents investigations into dependences of direct-current conductivity of dampness-soaked pressboard on the dampness level and temperature of the samples. Conductivity activation energy has been determined. It has been found that the conductivity is realized by hopping exchange of electrons between potential wells formed by water molecules in the amorphous cellulose structure. On that basis, theoretical dependences have been determined. They accurately describe the experimentally obtained dependences on the water content and temperature.
2
Content available remote Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions
Węgierek P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
364-365
EN
In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.
3
Symulacja komputerowa właściwości elektrycznych nanokompozytów (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytwarzanych rozpylaniem jonowym
Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
28-31
PL
W pracy przedstawiono symulację komputerową przewodności skokowej oraz doświadczalną weryfikację częstotliwościowych zależności właściwości elektrycznych w nanokompozytach (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x wytwarzanych przy użyciu rozpylania jonowego w atmosferze argonu i tlenu. Ustalono, iż uzyskane doświadczalne zależności konduktywności w funkcji częstotliwości odpowiadają krzywym uzyskanym na drodze symulacji komputerowych.
EN
The paper presents computer simulation of hopping conductivity and experimental verification of electrical properties vs. frequency dependences in (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x nanocomposites produced by means of ion sputtering in the atmosphere of argon and oxygen. It has been established that experimentally obtained dependences of conductivity as a function of frequency correspond to curves obtained by means of computer simulation.
4
Określenie wymiarów nanocząsteczek fazy metalicznej i odstępów dielektrycznych w nanomateriałach (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonych rozpylaniem jonowym
Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
25-27
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań przewodnictwa wlaściwego nanokompozytów (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonego rozpylaniem kombinowaną wiązką jonów argonu i tlenu o różnych zawartościach fazy metalicznej x. Określono częstotliwościowe i temperaturowe zależności przewodnictwa właściwego dla prądu zmiennego. Z uzyskanych zależności doświadczalnych określono prawdopodobieństwo przeskoku elektronu p oraz energie aktywacji przeskoku elektronu ΔΕρ w badanych nanokompozytach, na podstawie których określono średnie długości przeskoku elektronu r i średnie wymiary nanocząsteczek D.
EN
The paper presents results of investigations into conductivity of (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, nanocomposites produced by means of ion sputtering with a combined beam of argon and oxygen ions of varied metallic phase content x. Frequency and temperature dependences of conductivity have been determined for alternating current. Based on the obtained experimental dependences electron jump probability p has been determined as well as values of electron jump activation energy ΔΕρ in the tested nanocomposites, which have made a basis for the determination of mean electron jump lengths r and mean dimensions of nanoparticles D.
5
Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H⁺
Węgierek P., Billewicz P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
67-69
PL
W pracy ustalono, że w GaAs podlegającym polienergetycznej implantacji jonów H⁺ przy temperaturach wygrzewania Ta ≥ 523K w obszarach niskich i wysokich częstotliwości konduktywność σ = const., a w obszarze przejściowym aσ ∼ fa. Z danych doświadczalnych ustalono, że na wykresach Arrheniusa dla czasów przeskoków elektronów T występują dwa obszary - przy niskich temperaturach z energią aktywacji ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV i przy wyższych z ΔΕT₂ ≈ (0,10 š 0,02) eV. Obszary te są związane z dwoma typami defektów wytworzonych podczas napromieniowania jonami.
EN
The article presents briefly results of the research conducted on gallium arsenide samples. It has been established that in GaAs exposed on polyenergy implantationof H&# 8314; ions and annealed in temperatures Ta ≥ 523K electric conductivity fulfils an equation σ = const. for both low and high frequencies bands. Additionally in medium frequencies band a proportion σ∼fa is fulfilled. On the basis of experimental data it has been concluded that on the Arrhenius plots drew for the time of the electrons jumps two different areas could be observed. The first one is typical for low temperature values described by activation energy ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV The second is specific for higher temperatures where activation energy ΔΕT₂≈ (0,10 š 0.02) eV. Those areas are connected with two different types of radiation defects created during ion exposure of sample material.
6
Content available remote Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Węgierek P., Partyka J., Sidorenko J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
75-77
EN
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.
PL
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.
7
Content available remote Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Węgierek P., Zhukowski P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
293-295
PL
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
EN
The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.
8
Content available remote An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Fedotova J., Larkin A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
157-159
EN
The paper presents results of real part AC conductivity dependences on alternating current frequency, measuring temperature and annealing temperature in (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite sample beyond the percolation threshold deposited in argon and oxygen mixed gas ambient. It has been found that at the annealing temperature of 698 K and higher the additional oxidation of metallic “core/shell”-like nanoparticles occurs resulting in transition from conductivity with ó(f)=const to hopping regime with ó(f)~f á. Using the developed electron hopping model we have extracted the mean electron hopping length r1 = 2.6 nm from experimental results for annealed nanocomposite sample.
PL
W artykule zaprezentowano wyniki bada. zale.no.ci konduktywno.ci probki nanokompozytu (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonej w otoczeniu mieszaniny argonu i tlenu od cz.stotliwo.ci pr.du zmiennego, temperatury pomiarowej i temperatury wygrzewania poza progiem perkolacji. Stwierdzono, .e przy temperaturach wygrzewania 698 K i wy.szych zachodzi dodatkowe utlenianie powierzchni nanocz.steczek fazy metalicznej jako efekt przej.cia od przewodno.ci z �Đ(f)=const do przewodo.ci skokowej z �Đ(f)~f �ż. Przy u.yciu opracowanego modelu przeskokow elektronow uzyskano .redni. d.ugo.. przeskoku elektronu r1 = 2.6 nm na podstawie wynikow do.wiadczalnych dla wygrzanej probki nanokompozytu.
9
Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
100-102
PL
W artykule omówiono mechanizm przewodnictwa elektrycznego krzemu silnie zdefektowanego w wyniku implantacji w temperaturze pokojowej, jonów neonu o energii E = 600 keV i dawce D = 1,2 x10¹5⁵ cm⁻². Badania przeprowadzono na próbkach wygrzewanych izochronicznie w zakresie temperatur 323...873K przy częstotliwościach z przedziału 50 Hz...5 MHz. Analiza wyników badań wykazała, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości. Zmiany przewodności są bezpośrednio związane z koncentracją poszczególnych defektów i zależą od temperatur ich wygrzewania.
EN
The article discusses mechanisms of alternating current based electrical conductivity of silicon strongly defected by the implantation of neon ions of the E = 600 keV energy and a dose of D = 1,2 x 10¹⁵ cm⁻², performed at the room temperature. Testing has been performed on samples that have been isochronously annealed within the temperature range from 323 to 873K and at frequencies ranging from 50 Hz to 5 MHz. An analysis of the testing results has shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at law frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values. Changes of conductivity are related to concentrations of individual defects and depend on temperatures of their annealing.
10
Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
42-44
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.
EN
The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.