Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: homoepitaxy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME

Ciuk Tymoteusz, Kaszub Wawrzyniec, Kościewicz Kinga, Czołak Dariusz, Dobrowolski Artur, Jagiełło Jakub, Chamryga Adrianna, Budzich Rafał, Stańczyk Beata, Przyborowska Krystyna, Harmasz Anna, Góra Krzysztof, Kozłowski Andrzej, Michałowski Paweł, Ciepielewski Paweł, Jóźwik Iwona, Teklińska Dominika, Tymicki Emil, Kozłowski Roman, Kozubal Michał, Kamiński Paweł

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

154--156

Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.

Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.

Epitaxy on GaN bulk crystals

Leszczyński M., Prystawko P., Czernecki R., Lehnert J., Perlin P., Wiśniewski P., Skierbiszewski C., Suski T., Nowak G., Karouta F., Holst J., Grzegory I., Porowski S.

Opto-Electronics Review

2001

Vol. 9, No. 2

125-128

The article shows the most important experimental results describing the properties of nitride layers on GaN single crystals. The layers were grown using matalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The growth was monitored by in-situ laser reflectometry. The layers contain very small dislocation density of about 10-10³ cm⁻² (the same as in the GaN substrates). Morphology and crystallographic quality was examined using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The layers have exellent photoluminescent properties what has a direct impact on the optoelectronic device properties.

Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu

Mycielski A., Szadkowski A., Kaliszek W., Witkowska B., Kowalczyk L., Łusakowska E., Domagała J., Bąk-Misiuk J., Jędrzejczak A., Zieliński M., Adamczewska J., Adamiec K., Rutkowski J., Dobrowolski W., Gładki A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 2

3-8

Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.

The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.