Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  highresistance layers
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
We wstępie tego przeglądowego artykułu zostały opisane najważniejsze parametry elektryczne materiału SiC i obszary zastosowań przyrządów z SiC. Następnie, pokazano miejsca warstw wysokorezystancyjnych w technologii przyrządów z SiC. Na koniec, przedstawiono technologiczne aspekty formowania warstw wysokorezystancyjnych metodą implantacji jonów.
EN
In the introduction of this review article the most important SiC material electrical parameters and the areas of SiC devices application were described. Next, the places of highresistance layers in SiC devices technology were showed. In the end, technological aspect of highresistance layers forming by ion implantation method were presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.