Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  high-temperature infrared detectors
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule dokonano analizy niechłodzonych (T=300K) fotodiod (PC) i detektorów magnetoekskluzyjnch (EMCD) promieniowania 10,6 μm. Obliczenia wykazały, że optymalne parametry fotodiod takie jak grubość czy domieszkowanie dla struktury na podłożu z poszerzoną przerwą energetyczną są inne niż dla konstrukcji z kontaktami omowymi na obu jej końcach. Ustalono optymalne parametry detekcyjne elementów dla fotodiod i detektorów magnetoekskluzyjnych z (Hg,Cd)Te pracujących w temperaturze pokojowej.
EN
In range of 10.6 μm IR radiation an analysis of noncooled (T = 300 K) (PC) photodiodes and (EMCD) magnetoexlusion detectors with (Hg,Cd)Te was made. The basic detection parameters of these devices are limited by the noise resulting from statistical processes of thermal generation and carrier recombination. The parameter evaluation of related photodiodes demonstrates that the optimal parameters such as: thickness or structure doping on the substrate with a widened energy gap differs each other for structures with ohmic contacts at both ends. In the paper, for photodiodes and magnetoexclusion detectors with (Hg,Cd)Te the research results : optimal photosensitive detection parameters are presented for the room temperature (T=300 K) and acceptable large as well as small (5 and 0.5 W / mm2) densities of the dissipated power.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.