PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  high-frequency
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Measuring Exposure to High-Frequency Electromagnetic Fields Experienced by a Helicopter Crew During Flight
Michałowska Joanna, Puzio Łukasz, Tofil Arkadiusz, Pytka Jarosław
Transactions on Aerospace Research
|
2022
|
Nr 1 (266)
59--65
EN
High-frequency electromagnetic fields (EMF) can have a negative effect on both the human body and electronic devices. Monitoring and measurement of the electromagnetic field generated by devices is important from the point of view of environmental protection, the human body and electromagnetic compatibility. In this study, we tested the value of the electromagnetic field strength determined by the NHT3DL by Microrad with measurement probes during flights in the Robinson R44 helicopter. The reference point for the results obtained were the normative limits of the electromagnetic field permitted to affect the crew and passengers during flight. The maximum RMS values recorded during the measurements were E = 4.399 V/m in the 100 kHz-6.5 GHz frequency band and for the magnetic component H = 2.829 A/m in the 300 kHz-30 MHz frequency band. These results were passed to the Statistica 13.3 software for a detailed stochastic analysis of the values tested.
2
Content available Safety of construction components in a very high number of load cycles
Nový František, Belan Juraj, Bokůvka Otakar
System Safety : Human - Technical Facility - Environment
|
2020
|
Vol. 2, nr 1
199--206
EN
Progressive, high-strength materials have an important position in the transport industry. In this industry, components are subject to high safety and reliability requirements because they often operate under long-term cyclic stress regimes. The paper presents results of fatigue resistance of high-strength materials such DOMEX 700MC, HARDOX 400, HARDOX 450, and INCONEL 718 (UTS from 850 to 1560 MPa) measured at high-frequency cyclic loading (f = 20 kHz, T = 20 ± 5 ° C, push-pull loading, cycle asymmetry parameter of R = -1) in the area from N = 2x106 to N = 2x108 cycles. Fatigue resistance showed a continuous decrease about average value Sa2x108/Sa2x106 = 19.1%.
3
Content available remote Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą
Legutko Piotr, Kaczmarczyk Zbigniew
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
107--112
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF (20 MHz, 400 W, 91,2%) z ćwierćfalową linią długą dołączoną po stronie zasilania. Falownik ten zawiera jeden tranzystor, przebieg napięcie tranzystora zbliżony jest do prostokątnego oraz występuje przełączanie miękkie tranzystora typowe dla klasy E. Zastosowany tranzystor MOSFET serii DE sterowany jest za pomocą dedykowanego, niskostratnego sterownika bramkowego własnej konstrukcji. Wyjaśniono metodę optymalizacji parametrów falownika klasy EF ze względu na sprawność, którą zrealizowano z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer i wbudowanego algorytmu genetycznego. Koncepcja falownika klasy EF została pozytywnie zweryfikowana laboratoryjnie. Zarejestrowano przykładowe przebiegi czasowe napięć tranzystora oraz wyznaczono wybrane parametry falownika.
EN
Some basic properties and laboratory tests of high-frequency Class EF inverter (20 MHz, 400 W, 91.2%) with quarter-wave transmission line on the supply side are presented in the article. The inverter contains one transistor, the transistor voltage waveform is close to a rectangular one and the soft-switching of the transistor is realized as typically in Class E. The applied DE-series MOSFET transistor was controlled by a dedicated, low-loss driver of its own design. The optimization method of the Class EF inverter parameters to maximize efficiency was explained. It was implemented using ANSYS Simplorer software and a built-in genetic algorithm. The concept of the Class EF inverter was positively verified in the laboratory. Examples of transistor voltage waveforms were recorded and selected inverter parameters were determined.
4
Content available remote Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET
Kaczmarczyk Z., Zellner M., Frania K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
55--59
PL
Projektowanie przekształtników energoelektronicznych wymaga odpowiedniego doboru ich podzespołów aktywnych – tranzystorów. W przypadku zastosowań wysokoczęstotliwościowych falowników rezonansowych istotną grupę parametrów stanowią parametry pasożytnicze tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia – nieliniowa pojemność wyjściowa oraz straty mocy i rezystancja zastępcza związane z jej cyklicznym przeładowywaniem. W ramach pracy przedstawiono nową metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia.
EN
The design of power electronic converters requires the proper selection of their active components – transistors. In the case of highfrequency resonant inverter applications, a significant group of parameters to be considered are MOSFET transistor parasitic parameters in the offstate – nonlinear output capacitance, power losses and equivalent resistance associated with its cyclic charging and discharging. The paper presents a new method of determining these power losses and equivalent resistance of MOSFET transistor in the off-state.
5
Content available remote Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz
Legutko P., Kasprzak M., Kierepka K
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
120--123
PL
W artykule przedstawiono sposób określania sprawności wysokoczęstotliwościowych sterowników bramkowych – drajwerów (ang. driver) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Problematyka określenia i wyznaczenia sprawności tego typu układów wydaje się aktualna i niezwykle istotna, gdyż może ona stanowić istotny wskaźnik efektywności sterowania bramką tranzystora MOSFET. W ramach pracy określono sprawności zarówno dla komercyjnych scalonych sterowników bramkowych, jak i konstrukcji własnych autora niniejszego artykułu. Sprawność dyskretnych drajwerów wynosi powyżej 70%, komercyjne konstrukcje charakteryzują się sprawnością na poziomie 50%.
EN
This paper presents a problem of determining the efficiency of high-frequency MOSFET drivers. All drivers have been tested for efficiency in the operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. In the project tested two integrated drivers DEIC420, IXRFD630 IXYS Corporation and additionally three discrete drivers 4xEL7104, 8xEL7457 and 8xUCC27526 have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). Additionally, in this paper presents characteristic power input by the MOSFET drivers (Fig. 3) for two operating states: at idle and at gate MOSFET DE275-501N16A load. Also in this paper presents the measurement of parasitic parameters (output, series resistances RDR) for all drivers. At the end, this paper presents the new characteristic efficiency by the MOSFET drivers determined based on equations from (1) to (10). The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.
6
Content available remote Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 6
74--77
PL
W artykule przedstawiono problematykę zwarć skrośnych występujących w scalonych, komercyjnych sterownikach bramkowych stosowanych powszechnie z tranzystorami MOSFET mocy i pracujących z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Zwarcia skrośne w wyjściowym stopniu wzmacniającym drajwera są niezwykle istotne dla działania całego układu falownika. Wpływ zwarć objawia się dużymi stratami mocy biegu jałowego drajwera scalonego, które mogą sięgać nawet 30 W. Tak duża wartość mocy strat znacząco obniża sprawność całego przekształtnika oraz bezpośrednio wpływa na sprawność samego drajwera, która rzadko przekracza 60%. W artykule opisano problematykę identyfikacji zwarć oraz innych zjawisk występujących w sterownikach bramkowych (twardo-przełączalnych) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Przeprowadzone badania wykazały istnienie alternatywnych rozwiązań komercyjnych sterowników bramkowych charakteryzujących się niejednokrotnie lepszymi parametrami statycznymi i dynamicznymi.
EN
This paper presents the problem of short circuits in integrated drivers IXYS Corporation. The problem of short circuits in high frequency driver operating in inverter, is very important for example in efficiency or power losses determining. The short circuit in output amplifier by the drivers affects on the total power losses in this driver. All drivers in this project have been tested for operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. Additionally, this paper presents a characteristics of power losses at idle for eight tested drivers - four integrated drivers and four discrete drivers have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). The power losses in integrated driver DEIC420 associated of short circuits are even 30 W for 30 MHz. The new MOSFET discrete drivers characterized by 5 W of power losses in this same work conditions.
7
Content available remote The proposal of the laboratories for calibration of radar level gauges
Mikuś P., Harťanský R., Smieško V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 2
72--74
EN
This article deals with the problem of the design of the measuring environment for the testing of the devices working on the base of the electromagnetic waves. We mean by these devices the radar level gauges. The radar level gauge is a source of the electromagnetic waves. The input part of this device receives reflected waves from the referential interface (reflection board). In the measuring environment can occur also various steel installations, e.g. constructions which consist of cylindrical steel beams. If the measuring environment contains steel installations, the receiving of the electromagnetic waves can be influenced by high frequency phenomena on the construction. In this article we focus on the proposal of the dimensions of the measuring environment.
PL
Artykuł dotyczy problemu projektowania stanowiska pomiarowego do badania urządzeń wykorzystujących fale elektromagnetyczne. Pod pojęciem tych urządzeń rozumie się radarowe wskaźniki poziomu. Radarowy wskaźnik poziomu jest źródłem fal elektromagnetycznych. Wejściowy element tego urządzenia odbiera fale odbite od płaszczyzny odniesienia. W środowisku pomiarowym mogą występować różne instalacje stalowe, np. elementy konstrukcyjne złożone z cylindrycznych stalowych belek. Jeżeli środowisko pomiarowe zawiera stalowe instalacje, odbiór fal elektromagnetycznych może być zakłócany wskutek zachodzących zjawisk wysokoczęstotliwościowych. W artykule skupiono się na propozycji określenia wymiarów środowiska pomiarowego.
8
Content available remote Model i metoda projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF
Kaczmarczyk Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 6
73--78
PL
W artykule przedstawiono model i metodę projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z dołączoną ćwierćfalową linią długą po stronie zasilania. Zwiększanie częstotliwości pracy falowników rezonansowych wymaga stosowania dedykowanych metod do ich analizy i projektowania. Koniecznym staje się uwzględnienie parametrów pasożytniczych ich istotnych podzespołów. Zaproponowana koncepcja została wyjaśniona oraz zweryfikowana. Dwa falowniki klasy EF (20 MHz, 400 W) zostały zaprojektowane i przebadane.
EN
A model and design method of high-frequency Class EF inverter using a quarterwave transmission line on the supply side is presented in the article. With increasing operating frequency of resonant inverters, more sophisticated methods for their analysis and design are required. In this case, parasitic parameters of their main components cannot be omitted. The proposed concept was explained and verified. Two Class EF inverters (20 MHz, 400 W) was designed and tested.
9
Content available remote Metoda projektowania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy E
Kaczmarczyk Z.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 4
53--66
PL
W artykule przedstawiono metodę projektowania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy E. Ze zwiększaniem częstotliwości pracy falowników rezonansowych konieczne staje się stosowanie bardziej złożonych (dokładniejszych) metod ich projektowania, uwzględniających istotne parametry pasożytnicze (np. nieliniową pojemność wyjściową tranzystora MOSFET). Zaproponowana metoda została wyjaśniona oraz zweryfikowana. Zaprojektowano i przebadano laboratoryjnie dwa falowniki klasy E (30 MHz, 300 W).
EN
A design method of high-frequency Class E inverters is presented in the article. With increasing operating frequency of resonant inverters, more complex (more accurate) methods for their design are required. In this case, inverter parasitic parameters (e.g. nonlinear output capacitance of MOSFET transistor) are taken into consideration. The proposed method is explained and verified. Two Class E inverters (30 MHz, 300 W) were designed and laboratory tested.
10
Content available remote Wysokoczęstotliwościowy falownik klasy EF
Kaczmarczyk Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 4b
110-115
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości i weryfikację laboratoryjną koncepcji wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z dołączoną ćwierćfalową linią długą po stronie zasilania. Zaprojektowano, skonstruowano i przebadano laboratoryjne falowniki klasy E i EF o częstotliwości pracy 20 MHz, szczytowym napięciu tranzystora 400 V i mocy wyjściowej 400 W. Falownik klasy E stanowił falownik referencyjny dla falownika klasy EF.
EN
Main characteristics and laboratory verification of the concept of the high-frequency Class EF inverter using a quarterwave transmission line on the supply side are presented in the article. The Class E and EF inverters operating at frequency of 20 MHz, transistor peak voltage of 400 V and output power of 400 W were designed, built and laboratory tested. The Class E inverter was the reference point for the Class EF inverter.
11
Content available remote Falownik klasy E - 27 MHz, 500 W
Kaczmarczyk Z., Jurczak W.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2008
|
z. 4
207-218
PL
W artykule krótko scharakteryzowano problematykę falowników wysokich częstotliwości oraz przedstawiono model komputerowy i wyniki weryfikacji eksperymentalnej falownika klasy E o częstotliwości pracy 27 MHz i mocy wyjściowej 500 W. W falowniku tym pojemność równoległa do tranzystora równa jest jedynie jego pasożytniczej pojemności wyjściowej. Przedstawiony model umożliwia dokonanie analizy właściwości oraz syntezy parametrów falownika do pracy optymalnej. Model falownika zawiera model tranzystora z rezystancją przewodzenia, czasem wyłączania oraz stratną nieliniową pojemnością wyjściową tranzystora. W celu zweryfikowania modelu komputerowego zaprojektowano i przebadano laboratoryjny falownik klasy E. Wyniki pomiarów potwierdzają poprawność opracowanego modelu falownika.
EN
Some problems concerning high-frequency inverters, a computer model and results of the experimental verification of a 27 MHz, 500 W Class E inverter are presented in the paper. A capacitance connected in parallel with the transistor of the inverter is only composed of the transistor output capacitance. The proposed model can be applied to the analysis of the inverter characteristics and the synthesis of its parameters for the optimum operation. The inverter model includes a transistor model with on-resistance, turn-off time and lossy nonlinear output capacitance of the transistor. The laboratory setup of the Class E inverter has been built and tested to verify the computer model. The measurements validate the inverter model.
12
Content available remote A high-efficiency Class E inverter - computer model, laboratory measurements and SPICE simulation
Kaczmarczyk Z.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2007
|
Vol. 55, nr 4
411-417
EN
The paper presents the theoretical background, computer model, laboratory measurements and SPICE simulation results of a 323 W, 1 MHz Class E inverter operating with an efficiency of 97%. The inverter is built around a CoolMOS transistor from Infineon Technologies. The transistor belongs to a new generation of high quality, optimized for low conduction losses and high speed switching power MOSFET-s. The presented computer model of Class E inverter is based on a state-space description and allows computing the inverter parameters for the optimum operation. Its validity has been confirmed experimentally. The SPICE simulation of the inverter has been also carried out in order to obtain better agreement between measurement and calculation results.
13
Overview of class E inverters
Kaczmarczyk Z.
Jakość i Użytkowanie Energii Elektrycznej
|
2004
|
T. 10, z. 1/2
25-31
EN
A low-order Class E inverter family is the subject of consideration. The paper contains: the general definition of Class E switching conditions, the systematic classification of Class E inverter family members (e.g. into inverters with zero-voltage-switching and zero-current-switching, symmetric and asymmetric configuration, sinusoidal and nonsinusoidal output current), schematic diagrams of representative Class E inverters, their principle of operation and selected characteristics, and finally, the comparison of their main features and parameters.
PL
W pracy dokonano przeglądu i porównania falowników klasy E niskiego rzędu. W szczególności praca zawiera: ogólną definicję warunków przełączania w klasie E, systematyczną klasyfikację falowników klasy E (np. ze względu na przełączanie w zerze napięcia i zerze prądu, symetryczną i niesymetryczną konfigurację, sinusoidalny oraz niesinusoidalny prąd wyjściowy), schematy zastępcze reprezentatywnych falowników klasy E, opis ich zasady działania i wybranych właściwości oraz zbiorcze porównanie najważniejszych parametrów charakteryzujących ich właściwości.
14
Content available remote Improving properties of high-frequency Class E inverters
Kaczmarczyk Zbigniew
Archives of Electrical Engineering
|
2004
|
Vol. 53, nr 4
449--459
EN
The paper presents original numerical analysis of Class E inverter properties concerning the maximisation of its output power. It has been carried out on the basis of a MATLAB model of Class E inverter. High-efficient, 800 W, 16 MHz Class E and 1 kW, 16 MHz Class EF inverters have been successfully designed, fabricated and tested. The inverters are built employing a DE-SERIES MOSFET and a gate driver manufactured by Directed Energy, Inc. (DEI). The Class EF inverter is introduced as an example of possibility for improvement of the Class E inverter performance. The selected laboratory measurements of both inverters are given and compared to the results obtained from SPICE simulation.
PL
W pracy przedstawiono oryginalną analizę numeryczną właściwości falownika klasy E mającą na celu zmaksymalizowanie jego mocy wyjściowej. W analizie tej wykorzystano model falownika klasy E w programie MATLAB. Zaprojektowano, skonstruowano oraz przebadano falowniki klasy E oraz EF, pracujące z częstotliwością 16 MHz. odpowiednio o mocach 800 W oraz 1 kW. W falownikach zastosowano tranzystor typu DE-SERIES MOS FET ze sterownikiem dedykowanym, oba firmy Directed Energy, Inc. (DEI). Falownik klasy EF został wprowadzony jako przykład możliwości poprawy właściwości falownika klasy E. Przedstawiono również wybrane wyniki pomiarów laboratoryjnych obu falowników, które następnie porównano z wynikami symulacji uzyskanymi w programie SPICE.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.