Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: high voltage pulses

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Design of an Ultra-Wideband High-Power-Microwave Traveling-Wave Antenna

Ben-Ari E., Krasik J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 9

66-71

The article shows the design and implementation of high-power-microwave (HPM) traveling-wave ultra-wideband (UWB) antenna for high power pulse applications. The antenna is designed to be driven by a high-power, single-shot signal generator with 1 ns pulse-width at the -3 dB power points, and peak voltage of up to 100 kV. EM simulation with CST STUDIO SUITE® was used to analyze antenna broadband behavior and to improve the design of the radiating elements as well as the transition from coaxial input to parallel radiating plates. The antenna geometry was exported for manufacturing using CAD export capability. Then the antenna was fabricated and measured. The results agree with simulation results to a great extent.

Artykuł przedstawia projekt i wykonanie ultraszerokopasmowej (UWB) mikrofalowej anteny dużej mocy (HPM) z falą bieżącą przeznaczonej do pracy impulsowej. Antena była przeznaczona do pracy generatorem impulsowym dużej mocy o szerokości impulsu 1ns na poziomie -3dB i o napięciu szczytowym 100kV. Symulacja elektromagnetyczna przeprowadzona z użyciem oprogramowania CST STUDIO SUITE® była wykorzystana w celu analizy szerokopasmowych własności anteny oraz do optymalizacji kształtu elementów promieniujących a także połączenia wejścia współosiowego z równoległymi elementami promieniujących. Geometria anteny została wyeksportowana w formacie CAD z oprogramowania symulacyjnego do środowiska konstrukcyjno-mechanicznego. Następnie antena została wykonana i pomierzona. Wyniki pomiarów dobrze zgodziły się z wynikami wcześniejszej symulacji.

Charakterystyka odporności rezystorów Ti-Si na działanie impulsów wysokonapięciowych

Szwagierczak D., Kulawik J., Marek A., Gandurska J., Śnieżyńska I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 7

26-29

Badano odporność rezystorów opartych na krzemkach tytanu TiSi2, Ti5Si3 na odziaływanie impulsów wysokonapięciowych o kształcie fali 10/700us. Zniszczenie rezystorów następowało przy napięciu 1200-1500V. Zmiany rezystancji po udarach wynosiły 0-4,5% w zależności od napięcia, ilości impulsów, grubości warstwy i rodzaju krzemku.

Surge performance of resistors based on titanium silicides TiSi2, Ti5Si3 and TiSi were investigated using 10/700 us hight voltage pulses. Failure of resistors occurred ar 1200-1500 V. Changes in resistance after pulsing were 0-4,5% depending on peak voltage, number of pulses, thick film thockness and kind of silicide.