Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: high resistance substituter

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza dynamiki imitatora dużych rezystancji o strukturze układu typu T

Guzik Janusz, Pilśniak Adam

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

2019

Nr 66

25--28

W pracy przedstawiono opis uogólniony modelu matematycznego dynamiki pasywnego imitatora dużych rezystancji (o wartości rzędu TΩ) w układzie typu T bazującym na przekształceniu „gwiazda-trójkąt”. Przedstawiono problemy z zastosowania rezystorów wysokoomowych do budowy imitatora. Z punktu widzenia dynamiki te rezystory są układami inercyjnymi o stałych czasowych nawet rzędu ( 100 ÷ 1000) s. Wskazano warunki minimalizacji występujących stałych czasowych oraz podano optymalne warianty struktur imitatorów. Są one stosowane do sprawdzania wskazań mierników dużych rezystancji, bazujących na przetwarzaniu prądu.

The paper presents a dynamics analysis of high resistance substituter that works as a dynamic element in T circuit. The high resistance substituter has one input and one output ( see Fig. 1b) and it`s principle of operation basing on “star-delta” connection. In introductory section 1 it is shown that the systematic error δSO of simplifying equation: RSO ≈ RiRo/Rd. (see Eqs. (2) - (3)) can be easily minimalized, e.g. δSO → 0. In the sections 2 - 4 the describing function of the substituter (e.g. resistance RSO (s) or impedance ZSO (s)) has certain properties that can be used in a correction procedure in two cases: (I) use to imitator's building two high impedance resistors Ri, Ro about approximate values Ri = Ro = R, Rd = R / k, RaiCai, = RaoCao = RaCa. (see Fig.2 + Eq.(8b)), (II) use to imitator's building only one high impedance resistor Ri or Ro (see Fig. 3a,b + Eqs. (10) – (11)). It in both these cases (I) and (II) the high resistance substituter`s realization errors δ as a function of numerator α and denominator β of resistance ROS(t) / impedance ZOS(s) (see Eqs. (12a) – (12b) and (13a) – (13b), respectively) is presented. This terror minimalize δ → 0 at simplifying relation: α = β (see Fig.4). Recapitulating, one optimum high resistance substituter`s structure according to Fig. 3a should to recommend. This solution with one high impedance resistor Ri extensions the range of imitated resistances ROS across supply of voltage rise on the imitator's “Source” input.

Imitatory rezystancji izolacji elektrycznej

Guzik J., Topór-Kamiński L.

Pomiary Automatyka Kontrola

2013

R. 59, nr 6

542--544

W pracy przedstawiono ideę budowy wybranych rozwiązań imitatorów rezystancji izolacji elektrycznej, mających zastosowanie do wzorcowania megaomomierzy metodą pośrednią z wykorzystaniem elementów pasywnych i aktywnych. Przedstawiono także podstawowe zależności teoretyczne dla uogólnionego modelu imitatora oraz przedstawiono przykładową realizację imitatora pozwalającego na płynną nastawę imitowanej rezystancji. Ponadto określono błędy δ(RM) i δ(IM) odtwarzania wartości rezystancji RHI-LO, związane z wpływem rezystancji RM oraz błędów addytywnych ± α i multiplikatywnych ± β w procesie przetwarzania prądu IM dla obwodu (LO-GND) megaomomierza.

In the paper the idea of chosen solutions of electrical insulation resistance substituters, having application for indirect method of megaohmmeters calibration with use of an active and passive elements, was presented. The simplicity (see Fig.1) is the advantage of the presented idea of resistance substitution, the fault however - the necessity of fulfillment the relation E −eA > 0, at which the value of substituted resistance RHI-LO achieves only positive values. For generalized electrical insulation resistance substituters according to Fig.2, the substituted resistance RHI-LO is defined by Eqs. (4), and fulfillment the relation RHI-LO → ∞ is presented by Eq. (5). Chosen Eq. (4) variants (A-E) are contained in Tab.1. An example of electrical insulation resistance substituter`s realization [3] using optoisolated U/U converter is presented in Fig.3. It becomes noticeable that the substituted resistance RHI-LO enables practically linear realization of setting resistance value R2 (see Fig. 4). The errors δ(RM) and δ(IM) of substituted resistance value RHI-LO , connected with influence of resistance RM as well as the additive error ± α and multiplicative ± β error of current IM conversion in megaohmmeter`s circuit (LO-GND) were qualified too.