Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wzmacniacze dużej mocy GaAs, GaN w systemach radiolokacyjnych na pasmo C

Pergoł M., Matuszewski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 9

9-11

PL

W artykule zaprezentowano przykłady rozwiązań wzmacniaczy mocy dla pasma C wykorzystywanych w systemach radiolokacyjnych PIT-RADWAR S.A. W pracy opisano wpływ konstrukcji szyków antenowych stosowanych w radarach na wymagania stawiane tego typu wzmacniaczom. Przedstawiono rozwiązania wzmacniaczy – realizowane w technologii GaAs i GaN. Rozważania teoretyczne poparto praktycznymi przykładami rozwiązań. Wskazano potrzeby i oczekiwania wobec możliwości produkcji tranzystorów i układów scalonych w technologii GaN przez rodzimy przemysł.

EN

Some examples of high power amplifier solutions for C-band radars, made by PIT-RADWAR S.A., are presented in the paper. The authors describe the influence of the antenna arrays structure, which are used in radars, on requirements on power amplifier parameters. Two types of power amplifier are presented in the paper – GaAs and GaN. Theoretical consideration are supported by presentation of some examples of practical PIT-RADWAR S.A. radar systems. At the end of the paper the authors present needs and expectations regarding the production of GaN transistors by polish industry.

2

A Computer-controlled System of High-power Microwave Sources

Korpas P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2011

|

Vol. 57, No. 1

121-126

EN

The paper presents the design and hardware implementation of a computer controlled system composed of up to four high-power microwave sources. Each source provides up to 200 W of continuous wave power. Frequency of each source is stabilized within ±0.5 ppm of the nominal frequency adjustable within 2.35÷2.6 GHz range. All four sources can be synchronized to the same frequency with computer-controlled phase shift between the signals generated by each of them. The paper concentrates on the choice of components for such a system and the properties of the realized hardware implementation.

3

A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR

Wojtasiak W., Gryglewski D.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2011

|

Vol. 57, No. 1

135-140

EN

In the paper, a 100W SiC MESFET amplifier design dedicated for a L-band T/R module of APAR is presented. The output power higher than 100 W has been achieved by combining in a balanced configuration two single stages with Cree's 60 W CRF24060 SiC MESFETs. The amplifier design methodology is based on the small-signal model and DC characteristics of SiC MESFET. The model is extracted using the transistor Sparameters at three operating points for On-state, Off-state and normally biased. The measurements and simulations prove usefulness of the proposed design method. The amplifier was excited with pulsed and cw signals for the case temperature ranging from 60°C to 140°C. As a result of the case temperature changes the output power drop was lower than 0.5 dB at the level of 150 W.

4

T/R modules for APAR

Gryglewski D., Morawski T., Sędek E., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 4

56-64

EN

This paper sums up the achievements of solid-state T/R modules for Active Phased Array Radar (APAR) within confines of many years' standing co-operation between Warsaw University of Technology and Telecommunications Research Institute. A review of the concepts and performances of developed low cost T/R modules for L- and C-bands are presented. The transmitting amplifiers structures were optimized for maximum output power level and minimum transmittance distortions during radar pulse using self-invented electro-thermal models of high power microwave transistors. The transmitting line provides less than 0.1 dB and 0.4° transmittance changes during RF pulse at maximum output power level close to dB gain compression point. The receiving line includes two major parts: broadband passive lim-iter and low-noise amplifier (LNA). Typically, limiter provides less than .3 dB small-signal insertion losses in-band and protects LNA against undesirable signals over dBm to dBm (cw) limiting range. The LNAs were designed for minimum noise figure and maximum fault tolerance such as ESD and too high input signal. LNAs achieve less than dB noise figure and more than dB gain.

PL

W artykule podsumowano wyniki prac nad półprzewodnikowymi modułami N/O dla radarów z aktywnie fazowaną wiązką osiągnięte w ramach wieloletniej współpracy pomiędzy Przemysłowym Instytutem Telekomunikacji a Politechniką Warszawską. Na wstępie przedstawiono przegląd rozwiązań układowych modułów N/O oraz propozycję struktury parametrów tanich modułów na pasma L i C. Moduł N/O składa się z toru nadawczego i odbiorczego. Głównym podzespołem toru nadawczego jest wzmacniacz dużej mocy zaprojektowany dla uzyskania maksymalnej mocy wyjściowej, przy jak najmniejszych wahaniach transmitancji w czasie impulsu i pomiędzy kolejnymi impulsami. Dla osiągnięcia tego celu użyto własnego elektrotermicznego modelu tranzystorów typu FET. W rezultacie zmiany transmitancji toru nadawczego były mniejsze niż 0,1 dB i 0,4° w trakcie impulsu dla mocy wyjściowej na poziomie punktu 1 dB kompresji wzmocnienia. Dla zabezpieczenia wzmacniacza niskoszumnego na wejściu toru odbiorczego umieszczono pasywny ogranicznik diodowy o zakresie ograniczania od 10...41 dBm (cw) i stratach wtrąceniowych w paśmie pracy poniżej 0,3 dB. Wzmacniacz niskoszumny zoptymalizowano dla osiągnięcia minimum współczynnika szumów i maksymalnie dużej odporności na uszkodzenia wywoływane zbyt dużym poziomem sygnału wejściowym oraz ESD. Współczynnik szumów zrealizowanych LNA nie przekraczał 1 dB, a wzmocnienie było większe niż 27 dB.