Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

1 2019

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: high impedance resistor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza dynamiki imitatora dużych rezystancji o strukturze układu typu T

Guzik Janusz, Pilśniak Adam

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

2019

Nr 66

25--28

W pracy przedstawiono opis uogólniony modelu matematycznego dynamiki pasywnego imitatora dużych rezystancji (o wartości rzędu TΩ) w układzie typu T bazującym na przekształceniu „gwiazda-trójkąt”. Przedstawiono problemy z zastosowania rezystorów wysokoomowych do budowy imitatora. Z punktu widzenia dynamiki te rezystory są układami inercyjnymi o stałych czasowych nawet rzędu ( 100 ÷ 1000) s. Wskazano warunki minimalizacji występujących stałych czasowych oraz podano optymalne warianty struktur imitatorów. Są one stosowane do sprawdzania wskazań mierników dużych rezystancji, bazujących na przetwarzaniu prądu.

The paper presents a dynamics analysis of high resistance substituter that works as a dynamic element in T circuit. The high resistance substituter has one input and one output ( see Fig. 1b) and it`s principle of operation basing on “star-delta” connection. In introductory section 1 it is shown that the systematic error δSO of simplifying equation: RSO ≈ RiRo/Rd. (see Eqs. (2) - (3)) can be easily minimalized, e.g. δSO → 0. In the sections 2 - 4 the describing function of the substituter (e.g. resistance RSO (s) or impedance ZSO (s)) has certain properties that can be used in a correction procedure in two cases: (I) use to imitator's building two high impedance resistors Ri, Ro about approximate values Ri = Ro = R, Rd = R / k, RaiCai, = RaoCao = RaCa. (see Fig.2 + Eq.(8b)), (II) use to imitator's building only one high impedance resistor Ri or Ro (see Fig. 3a,b + Eqs. (10) – (11)). It in both these cases (I) and (II) the high resistance substituter`s realization errors δ as a function of numerator α and denominator β of resistance ROS(t) / impedance ZOS(s) (see Eqs. (12a) – (12b) and (13a) – (13b), respectively) is presented. This terror minimalize δ → 0 at simplifying relation: α = β (see Fig.4). Recapitulating, one optimum high resistance substituter`s structure according to Fig. 3a should to recommend. This solution with one high impedance resistor Ri extensions the range of imitated resistances ROS across supply of voltage rise on the imitator's “Source” input.