Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: high frequency converters

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z obwodami rezonansowymi pracującymi z wielokrotnością częstotliwości przekształtnika na przykładzie zastosowania w nagrzewnicach indukcyjnych

Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 5

143--146

Niniejszy artykuł opisuje koncepcję obwodu rezonansowego pracującego z nieparzystą wielokrotnością częstotliwości przekształtnika w aplikacji wysokoczęstotliwościowej nagrzewnicy indukcyjnej. Przedstawiono nagrzewnicę o częstotliwości pracy 5 MHz, zbudowaną w oparciu o tranzystory w technologii węglika krzemu SiC.

This paper deals with concept of resonant circuit operating with odd multiply frequency of converter in application of high frequency induction heater. 5 MHz induction heater based on modern silicon carbide transistors are shown.

Comparative investigation of SiC and Si power electronic devices operating at high switching frequency

Zymmer K., Mazurek P.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2011

Vol. 59, nr 4

555-559

The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the silicon carbide (SiC) Schottky diodes operating at a 500 A/ěs current slope. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon (Si) diodes. Results of power losses measurement in SiC Schottky diodes operating at switching frequency range of (10–200) kHz are presented and compared with corresponding data of ultrafast Si diodes. Also, results of power losses measurements in transistors of dc voltage switch are shown. Investigations were conducted with a SiC and the ultrafast Si freewheeling diode at the transistor switching frequency of 100 kHz. The results of measuring power losses dissipated in the dc converter with a SiC Schottky diode and the ultrafast silicon diode are also presented.