Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 30

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  high frequency
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono opis i sposób realizacji symulacji termicznej niskostratnego sterownika bramkowego małej mocy mogącego pracować z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Symulacja komputerowa rozkładu temperatur na płytce PCB obwodu drajwera została przeprowadzona w celu określenia maksymalnej, dopuszczalnej temperatury pracy układu. Wyniki przeprowadzonej symulacji termicznej dla stanu ustalonego zostały zweryfikowane na stanowisku badawczym przy użyciu kamery termowizyjnej. W wyniku symulacji termicznej wykonanej w oprogramowaniu ANSYS otrzymano rozkład temperatury na płytce PCB wykonanej z materiału IMS (o podłożu aluminiowym), określono temperatury maksymalne dla układów małej mocy. W wyniku badań laboratoryjnych określono straty mocy w niskostratnym sterowniku bramkowym pracującym dla maksymalnej częstotliwości 30 MHz oraz zweryfikowano otrzymane wyniki symulacyjne.
EN
This paper presents a FEM simulation of low-losses MOSFET driver. This gate driver can run at 30MHz frequency and was made with eight low power MOSFET drivers UCC27256. The steady state thermal simulation was made in ANSYS software used a 3D driver model (figure 6,7) performed in Inventor Professional software. The 3D model of MOSFET driver reflects the properties of the real circuit (figure 5) including: PCB board was made IMS material, low power MOSFET drivers UCC27256 and all other items of driver. The steady state thermal simulation of lowlosses driver 8xUCC27526 was carried out in order to determine the maximum permissible operating temperature of the circuit. Additionally, in this paper presents a temperature distribution of PCB board of MOSFET driver (figure 11), maximum temperature of PCB board (figure 12,13) and characteristic of power losses for MOSFET driver for frequency range from 10 MHz to 30 MHz (figure 10). The results of FEM thermal simulation were compared to real infrared photo (figure 17) which was made for a maximum operating frequency 30MHz.
2
Content available remote High power microwave for knocking out programmable suicide drones
EN
The primary research objective is to reduce the dangers of rogue drones in our lives and the consequences of extremist groups, drug dealers, and organised criminals using them. The growing number of incidents involving modified drones proves the weakness of existing technology in stopping and neutralising errant drones such as the hand-held gun jammer, trained eagle, R.F. jammer, and others. This technology is not very likely to able to knock out a rogue drone and is incapable of stopping programmable drones. This article aims to examine the directed energy of HPM (high power microwaves) in using the electromagnetic field strength energy to damage the drone’s structure or burn its PCB board electronics. It goes on to analyse electronic attack using microwave power with high frequency to immediately switch off drones. The effectiveness of high microwave power for disrupting drones at different distances and in different weather conditions is evaluated. A study of the conical horn antenna of the magnetron coupling system, which has an operating frequency of 2.45 GHz, is also included.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
EN
Irreversible electroporation (IRE) is a process in which the cell membrane is damaged and leads to cell death. IRE has been used as a minimally invasive ablation tool. This process is affected by some factors. The most important factor is the electric field distribution inside the tissue. The electric field distribution depends on the electric pulse parameters and tissue properties, such as the electrical conductivity of tissue. The present study focuses on evaluating the tissue conductivity change due to high-frequency and low-voltage (HFLV) as well as low-frequency and high-voltage (LFHV) pulses during irreversible electroporation. We were used finite element analysis software, COMSOL Multiphysics 5.0, to calculate the conductivity change of the liver tissue. The HFLV pulses in this study involved 4000 bipolar and monopolar pulses with a frequency of 5 kHz, pulse width of 100 µs, and electric field intensity from 100 to 300 V/cm. On the other hand, the LFHV pulses, which we were used, included 8 bipolar and monopolar pulses with a frequency of 1 Hz, the pulse width of 2 ms and electric field intensity of 2500 V/cm. The results demonstrate that the conductivity change for LFHV pulses due to the greater electric field intensity was higher than for HFLV pulses. The most significant conclusion is the HFLV pulses can change tissue conductivity only in the vicinity of the tip of electrodes. While LFHV pulses change the electrical conductivity significantly in the tissue of between electrodes.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.
EN
Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.
PL
W odniesieniu do dielektryków polarnych metoda zgrzewania tworzyw sztucznych polem elektrycznym wysokiej częstotliwości jest obecnie najskuteczniejszą metodą pod względem prędkości zgrzewania, wydajności procesu, oraz jakości otrzymywanych połączeń. Niemniej jednak, producenci maszyn opartych na tej zasadzie działania muszą brać pod uwagę efekty falowe, które mają bezpośredni wpływ na proces zgrzewania, a które nie występują w innych metodach zgrzewania. Efekt fali stojącej, będący jednym z takich efektów, ma bezpośredni wpływ na proces zgrzewania tworzyw sztucznych. W pracy przedstawiono metody wizualizacji tego efektu i badanie jego wpływu na jakość zgrzewu.
EN
Considering polar dielectric materials, the high frequency electric field welding method of plastics is the most effective in terms of welding speed, efficiency of the process, and quality of the weld seam. However, the manufacturers of the machines working on this principles should take into account the wave effects, which affect the welding process and do not occur in other welding methods. The standing wave effect, being one of these effects have a direct impact on the welding process of plastic materials. The paper presents the study of this effect influence on the weld seam quality, and some methods of visualisation are described.
PL
W pracy przedstawiono praktyczne rozwiązanie techniczne falownika do grzania indukcyjnego, który jest prosty w konstrukcji, niezawodny w działaniu oraz w pełni funkcjonalny. Falownik został przebadany w Laboratorium Badawczym Elektrycznym Politechniki Częstochowskiej, a uzyskane wyniki pomiarów w pełni potwierdziły możliwość adaptacji tego rozwiązania do zastosowań przemysłowych przy zasilaniu z sieci jednofazowej oraz możliwości regulacji mocy we wzbudniku w szerokim zakresie.
EN
The paper presents a practical technical solution for induction heating inverter that is simple in construction, reliable in operation and fully functional. The inverter has been tested in the Electrical Testing Laboratory of Czestochowa University of Technology, and the obtained results fully confirmed the possibility of adaptation of this solution for industrial applications with single-phase power supply and the possibility of regulating the power in a wide range of actuators.
PL
W części I pracy pokazano rzeczywiste problemy związane z zastosowaniem kondensatorów wielkiej częstotliwości w układach rezonansowych falowników oraz przedstawiono kondensator jako element obwodu. Pokazano historyczne początki budowy pierwszych kondensatorów oraz pierwsze ich zastosowania w Częstochowie. Omówiono również sposób budowy i wielkości materiałowe stosowane do produkcji pojedynczych kondensatorów, zwłaszcza wykonanych z tworzyw, łączonych w baterie dla układów wielkiej częstotliwości stosowanych w wykonawczych (roboczych) układach rezonansowych falowników.
EN
Part I of the paper shows the real problems associated with the use of high frequency capacitors in resonance systems of inverters and the capacitor is shown as a circuit element. The historical beginnings of the construction of the first capacitors and the first historical applications in Czestochowa are shown. The method of construction and material sizes used for the production of single capacitors, especially plastic, are combined in banks for high frequency circuits used in executive (working) resonant systems of inverters.
EN
This work describes a new technology to calculate the magnetic field emission of a High Frequency Series Resonant Inverter in a domestic induction heater by means of computational simulations. The calculation is performed assuming normal operation conditions required to measure the magnetic field by means of a triple loop antenna. This triple loop antenna, also known as a van Veen & Bergervoet antenna, is generally employed to test compliance with emission regulations in the frequency range of band A and band B i.e. 5-55 kHz.
EN
For protection against electric shock in low voltage systems residual current devices are commonly used. However, their proper operation can be interfered when high frequency earth fault current occurs. Serious hazard of electrocution exists then. In order to detect such a current, it is necessary to modify parameters of residual current devices, especially the operating point of their current transformer. The authors proposed the modification in the structure of residual current devices. This modification improves sensitivity of residual current devices when high frequency earth fault current occurs. The test of the modified residual current device proved that the authors’ proposition is appropriate.
EN
A novel circuit topology of modified switched boost high frequency hybrid resonant inverter fitted induction heating equipment is presented in this paper for efficient induction heating. Recently, induction heating technique is becoming very popular for both domestic and industrial purposes because of its high energy efficiency and controllability. Generally in induction heating, a high frequency alternating magnetic field is required to induce the eddy currents in the work piece. High frequency resonant inverters are incorporated in induction heating equipment which produce a high frequency alternating magnetic field surrounding the coil. Previously this high frequency alternating magnetic field was produced by voltage source inverters. But VSIs have several demerits. So, in this paper, a new scheme of modified switched boost high frequency hybrid resonant inverter fitted induction heating equipment has been depicted which enhances the energy efficiency and controllability and the same is validated by PSIM.
PL
Jednym ze sztandarowych produktów firmy Anritsu są generatory sygnałowe. Na szczególną uwagę zasługują modele z serii MG3690C umożliwiające generację sygnałów w szerokim zakresie częstotliwości od 0,1 Hz do 70 GHz lub nawet 500 GHz przy zastosowaniu zewnętrznych mnożników. Umożliwiają modulację analogową (FM, AM, fazową, impulsową), która może być realizowana zarówno wewnętrznie, jak i zewnętrznie w zależności od wyboru opcji rozszerzeń dedykowanych dla konkretnego modelu. Generatory firmy Anritsu z serii MG3690C znajdują zastosowanie przy pomiarach podzespołów mikrofalowych oraz testowaniu systemów radarowych i komunikacyjnych. Na szczególne wyróżnienie zasługuje nieosiągalny dla innych producentów poziom szumów fazowych o wartości – 115 dBc/Hz przy częstotliowości fali nośnej 20 GHz oraz wartości częstotliwości offsetu równej 10 kHz.
PL
W pracy zastosowano koncepcję podwyższenia częstotliwości pracy układu falownika przez dobranie częstotliwości rezonansowej obwodu roboczego będącej potrojoną częstotliwością przełączania elementów mocy. Takie rozwiązanie umożliwia stosowanie tradycyjnych metod sterowania przy jednoczesnym podniesieniu częstotliwości roboczej pracy falownika. Na zbudowanym modelu zostały wykonane badania dla falownika pracującego z częstotliwością rezonansową do 455 [kHz], które dały zadowalające efekty. Wyniki uzyskane na rzeczywistym obiekcie potwierdziły wcześniejsze obliczenia teoretyczne i symulacje.
EN
This thesis is based on a concept of increasing the inverter circuit frequency by setting the working circuit resonance frequency by tripled frequency of power elements switching. Such a solution enables applying of standard controlling methods and increasing the working frequency of the inverter at the same time. A research for inverter working with resonance frequency of maximum 455 [kHz] was carried out on a practical model. The results of the research were satisfactory and have confirmed prior theoretical calculations and simulations.
EN
Novel protection method of wind turbine transformers against high frequency transients occurring during switchgear operation is described in this paper. Presented results are continuation of research on Very Fast Transients mitigation methods previously published in literature [8]. Principles of novel suppressing device parameters optimization for windmill transformers are also included. ATP-EMTP simulations results for wind farm application were verified by full scale functional tests.
PL
W artykule przedstawiono nową metodę ochrony transformatorów turbin wiatrowych przed wysokoczęstotliwościowymi przepięciami mogącymi wystąpić w trakcie ich pracy. Przedstawione rezultaty są wynikiem kontynuacji wcześniejszych badań prowadzonych nad ochroną transformatorów dystrybucyjnych przed zakłóceniami o wysokokiej częstotliwości mogącymi wystąpić w sieci SN [8, 9]. Wyniki symulacji przepięć oraz doboru parametrów urządzeń ochronnych, zostały zweryfikowane w trakcie testów funkcjonalnych.
EN
The article presents a comparison of the levels of luminous flux and light emission spectrum of high pressure sodium lamp powered by high frequency voltage source. The test results have been compared to measurements performed at mains frequency.
PL
W artykule przedstawiono porównanie wartości strumienia świetlnego oraz zmienność charakterystyk widmowych lampy sodowej wysokoprężnej przy zasilaniu napięciem o wysokiej częstotliwości. Badane parametry porównano z wynikami uzyskanymi przy zasilaniu lampy częstotliwością sieciową.
16
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W przy pracy optymalnej
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
17
Content available remote Wysokoczęstotliwościowy prostownik synchroniczny
PL
W artykule opisano wysokosprawny prostownik synchroniczny, znajdujący zastosowanie w układach do bezprzewodowej transmisji energii elektrycznej. Przedstawiono metodę projektowania prostownika, oraz sposób pomiaru jego parametrów energetycznych. Opracowany, miniaturowy i kompaktowy, prostownik synchroniczny ma o 40% mniejsze straty mocy czynnej od klasycznego prostownika diodowego, zbudowanego z diod Schottkiego (dla znamionowych warunków pracy: częstotliwość 800 kHz, moc wyjściowa 32 W).
EN
A high efficiency synchronous rectifier is described in the paper. The rectifier is optimized for a usage in a wireless energy transmission systems. The rectifier's design method and it's energetic parameters are shown in the paper. Presented synchronous rectifier has small and compact construction. It’s total power loses are 40% smaller than in a classic Schottky-diode rectifier (under the nominal conditions: operating frequency 800 kHz, output power 32 W).
18
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHZ 500 W przy pracy optymalnej
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.
EN
Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.
20
Content available remote Falownik klasy E 27 MHz, 500 W o podwyższonej sprawności
PL
W artykule przedstawiono model komputerowy i wyniki weryfikacji eksperymentalnej dwóch falowników klasy E. Falownik pierwszy pracował optymalnie z częstotliwością 27 MHz i mocą wyjściową około 500 W. Częstotliwość pracy i moc wyjściowa falownika drugiego pozostały takie same, natomias nie pracował on optymalnie. Jego parametry zostały zmodyfikowane, aby zminimalizować straty mocy w tranzystorze – zwiększyć sprawność. Model komputerowy został zweryfikowany eksperymentalnie. Wyniki pomiarów potwierdziły poprawność modelu i możliwość zwiększenia sprawności falownika klasy E.
EN
A computer model and results of the experimental verification of two Class E inverters have been presented in the paper. The first inverter operated in optimum mode with the frequency of 27 MHz and the output power of about 500 W. The operating frequency and the output power of the second inverter were preserved, but the inverter operated in non-optimum mode. Its parameters were modified in order to minimize transistor power losses – to increase efficiency. The computer model was verified experimentally. Measurements validated the model and proved the possibility of increase in the efficiency of the Class E inverter.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.