Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heterostruktury AlGaN/GaN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

Paszkiewicz B., Wośko M., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

58-60

Azotki są doskonałymi materiałami do wytwarzania szeregu elementów. W WEMIF PWr prowadzono badania nad zastosowaniem heterostruktur AlGaN do wytwarzania tranzystorów mikrofalowych, biosensorów i czujników gazów. W artykule przedstawiono charakterystyki tranzystorowych czujników wodoru typu AlGaN/GaN FAT-HEMT {FAT-High Electron Mobility Transistors) z bramką katalityczną Pt. Pokazano, że tego typu czujniki mogą być stosowane do detekcji wodoru w szerokim zakresie koncentracji od 0,1 ppm do 10000 ppm.

Nitrides are attractive materials for numerous devices applications. The researches were carried out at WEMiF WrUT devoted to application of AlGaN/GaN heterostructures for fabrication of microwave HEMT transistors, biosensors and gas sensors. The article presents the hydrogen sensing characteristics of FAT-type AlGaN/GaN HEMT with catalytic Pd electrode. It was shown that FAT type Pt/AIGaN/GaN HEMTs have the ability to detect hydrogen in wide range of hydrogen concentration from 0.1 ppm to 10000 ppm.