PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  heterostruktury
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu
Kotowski Mateusz, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Jasik Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
123--126
PL
W artykule podjęto próbę określenia parametrów warstw epitaksjalnych GaSb o różnej koncentracji atomów berylu osadzonych na przewodzących podłożach GaSb o dziurowym typie przewodnictwa. Wykorzystano do tego zaproponowany w literaturze model wielowarstwowy, który zweryfikowano przez pomiar parametrów elektrycznych warstwy GaSb osadzonej na półizolującym podłożu GaAs. Stwierdzono, że model pozwala poprawnie określać parametry elektryczne warstw wówczas, gdy przewodność całej struktury jest większa niż przewodność podłoża. W przypadku odwrotnym otrzymano zawyżone wartości ruchliwości nośników w temperaturze pokojowej w porównaniu do wartości uzyskanych w temperaturze 77 K dla koncentracji nośników ok. 5 x 1017 cm3.
EN
In the paper, an attempt was made to determine electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate. A multi-layer model proposed by Arnaudov et al [10] was used. To verify it, the model was applied to the experimental data obtained for GaSb/GaAs(SI) sample. It was proven that the model correctly calculates electrical parameters, when the conductivity of the entire sample is larger than that of a substrate. In the opposite situation, overestimated values of hole mobility at room temperature were obtained for GaSb layer with p = 5 x 1017 cm3 in comparison with correct values at 77 K.
2
Content available remote Struktury na bazie ZnO do detekcji światła ultrafioletowego
Paradowska K., Płaczek-Popko E., Zielony E., Pietrzyk M., Kozanecki A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
39--42
PL
W poniższej pracy, dwie struktury p-Si/n-ZnMgO zostały scharakteryzowane pod kątem zastosowania w detektorach światła ultrafioletowego (UV). Przeprowadzone zostały pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V), fotoluminescencji (PL) oraz fotoodpowiedzi. Charakterystyki I-V zostały zmierzone w 310 K i pozwoliły stwierdzić, że obie struktury posiadają właściwości prostujące. Pomiary fotoluminescencji i fotoodpowiedzi zostały przeprowadzone w temperaturze pokojowej. Została przeprowadzona dokładna analiza widm fotoluminescencji, które w jednej z próbek ujawniły pasma emisyjne świadczące o obecności defektów. Pomiary fotoodpowiedzi również zostały szczegółowo przeanalizowane, podane zostały główne wady badanych struktur oraz rozwiązania, które mogą przyczynić się do udoskonalenia struktur.
EN
In our paper, two p-Si/n-ZnMgO structures were characterized in terms of applicability in ultraviolet light detectors. A few measurement techniques have been applied: current-voltage (I-V) characteristics, photoluminescence (PL) and photoresponsivity measurements. I-V characteristics were measured at 310 K and allowed us to conlcude, that both of investigated structures have rectifying properties. Photoluminescence and photoresposivity measurements were performed at room temperature. The analysis of PL spectra exhibited emission bands corresponding to defects in one of studied samples. Photoresponsivity spectra were also thoroughly examined – the most important disadvantages of analysed structures were given together with possible solutions, which can be applied in order to obtain well-working UV detectors.
3
Zjawiska fotoelektryczne w złożonych heterostruturach HgCdTe stosowanych w konstrukcjach niechłodzonych detektorów podczerwieni
Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
28-31
PL
Artykuł przedstawia wybrane wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem konstrukcji niechłodzonych detektorów podczerwieni z warstw epiaksjalnych HgCdTe uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007.
EN
The paper presents selected results of studies connected with development of uncooled HgCdTe infrared detectors fabricated using MOCVD epitaxial deposition on GaAs substrates. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.
4
Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe
Pawluczyk J., Piotrowski J., Gawron W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
54-56
PL
Artykuł prezentuje wyniki badań nad rozwojem niechłodzonych detektorów podczerwieni, zrealizowanych w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 5 pt. "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe", grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007 pt.: "Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni". Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej.
EN
Uncooled infrared photodetectors made from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection and military technique. The paper presents the current state of the art in the field of uncooled HgCdTe photodetectors in Poland. This paper has been done in VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.
5
Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni
Gawron W., Rogalski A., Madejczyk P., Pawluczyk J., Piotrowski J., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
106-109
PL
Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej. Artykuł prezentuje obecny stan rozwoju niechłodzonych detektorów podczerwieni w Polsce.
EN
Uncooled infrared photodetectors from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection, and military technique. The paper presents the state-of-art in the field of uncooled photodetectors from HgCdTe in Poland.
6
Długofalowe detektory podczerwieni dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni
Gawron W., Gutowska M., Pędzińska M., Pawluczyk J., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
76-79
PL
Praca pokazuje zasady projektowania i właściwości detektorów podczerwieni dla szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Są to heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (8...12 µm) promieniowania podczerwonego pracujące bez chłodzenia kriogenicznego. Podstawą konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane metodą MOCVD.
EN
Long wavelength infrared photodetectors from HgCdTe for the second generation free-space optical links are reported. The photodetectors are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers. The photodiodes are based on HgCdTe heterostructure. The devices have been grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD).
7
Content available remote Schemat iteracyjny dla rozwiązywania równań transportu w wąskoprzerwowych strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Przypadek stacjonarny i jednowymiarowy
Jóźwikowski K.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
1998
|
Vol. 47, nr 7-8
161-185
PL
W pracy zaprezentowano schemat interacyjny dla rozwiązywania układu równań transportu w strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Linearyzację równań przeprowadzono metodą Newtona. Prezentowana metoda numeryczna może być zastosowana dla obliczania parametrów fotoelektrycznych przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących zjawiska nierównowagowe, zachodzące w miejscach silnych niejednorodności (w heterostrukturach, złączach p-n, złączach l-h i obszarach zmiany przerwy energetycznej). Dla jej zilustrowania zaprezentowano obliczenia przestrzennych rozkładów koncentracji nośników, potencjału elektrostatycznego, struktury pasmowej i charakterystyki prądowo-napięciowej w wybranych strukturach półprzewodnikowych z (InA)Sb. Obliczenia wykonano dla geometrii jednowymiarowej.
EN
It is presented an iteration scheme for solution of transport equations in narrow-band semiconductor structures with strong inhomogenities. The Newton method for linearization is applied. The numerical method can be applied for calculation of photoelectric parameters of semiconductor devices using nonequilibrium effects occurring in strong inhomogeneous regions (in heterostructures, p-n and l-h junctions and in the band-graded regions). The method is illustrated by presenting the results of spatial calculation of distribution of charge carries concentration, electrostatic potential, the band structure and current-voltage characteristics of the selected semiconductor structures with (InAs)Sb. The one dimensional case is considered.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.