Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heterostructure field effect transistor (HFET)

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.

Tłaczała M., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Boratyński B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 9

16-20

Przedstawiono ofertę grupy badawczej Wydziału Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, kierowanej przez Marka Tłaczałę, na opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznacz-nych do pracy w zakresie b.w.cz. Omówiono główne założenia i cele projektu. Przedstawiono oczekiwane rezultaty jego realizacji. Pokazano uwarunkowania technologiczne (urządzenia i laboratoria) oraz oprogramowanie i techniki charakteryzacji umożliwiające podjęcie realizacji projektu.

This paper presents the offer formulated by research group of the Faculty of Microsystem Electronics and Photonic of Wroclaw University of Technology, headed by Marek Tłaczala, for the design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application. The main assumption and goals of the project are given. The anticipated results are discussed. The main technological facilities (systems and clean rooms) as well as the software and measurements techniques intended for the realization of the project are presented.

Piezoelectric effect and spontaneous polarization in computer modelling of AIII--N heterostructures

Piasecki T., Kośnikowski W., Paszkiewicz B.

Optica Applicata

2005

Vol. 35, nr 3

597-604

The Ga, Al and In nitrides (AIII--N) are complete material system suitable in high power and high temperature electronic devices such as AlxGa1-xN/GaN heterostructure field effect transistor (HFET). The examples of computer modelling of AIII--N heterostructures were shown. AIII--N materials exhibit strong piezoelectric and spontaneous polarization. The computer modelling results showing the influence of layer polarity on carrier distribution in AlxGa1-xN/GaN heterostructure were shown. Only in Ga-faced heterostructures 2-dimensional electron gas (2DEG) is formed. The effect of AlxGa1-xN layer relaxation on 2DEG concentration in AlxGa1-xN/GaN heterostructure was examined. The difference in spontaneous polarization in AlxGa1-xN and GaN caused high 2DEG concentration even in AlxGa1-xN/GaN heterostructures with relaxed Alx-Ga1-xN layer. Polarization field in AlxGa1-xN layer in AlxGa1-xN/GaN heterostructure was enough for achieving high 2DEG concentrations in undoped heterostructure. Strained AlxGa1-xN layer was introduced into typical HFET heterostructure. GaN layer above an interlayer was depleted and the negative influence of using non semi-insulating GaN layer in HFET transistor was reduced.