Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2019

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heterostructure AlGaN/GaN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2’’

Pokryszka Piotr, Wośko Mateusz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

173--176

W pracy przedstawiono sposób kalibracji temperatury procesu epitaksji w systemie AIXTRON CCS 3x2’’. Kalibrowany system pirometryczny umożliwia monitorowanie in-situ temperatury podłoża na 5’’ grafitowej podstawie, w zakresie temperatur od 400 ͦC do 1300 ͦC z dokładnością do 2 ͦC. Również przedstawiono stanowisko i metodę pomiarową z wykorzystaniem interferencji do określania grubości wytworzonej warstwy. Jako źródło światła wykorzystano ciało doskonale czarne rozgrzane do temperatury 1060 ͦC i heterostrukturę AlGaN/GaN/Al203. Pomiary grubości warstwy zostały wykonane ex-situ, lecz z powodzeniem mogą zostać wykonane in-situ.

The paper presents the method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. The pyrometric system calibrated allows to monitor in-situ the temperature of the substrate on a 5'' graphite base, within the temperature range from 400 ͦC to 1300 ͦC with an accuracy of 2 ͦC. Also the stand and the measurement method with the use of interference to determine the thickness of the created layer are presented. As a light source, a black body heated to 1060 ͦC and heterostructure AlGaN/GaN/Al203 were used. Layer thickness measurements were taken ex-situ, but can be successfully done in-situ.