Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heteroepitaxy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.

Tłaczała M., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Boratyński B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 9

16-20

Przedstawiono ofertę grupy badawczej Wydziału Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, kierowanej przez Marka Tłaczałę, na opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznacz-nych do pracy w zakresie b.w.cz. Omówiono główne założenia i cele projektu. Przedstawiono oczekiwane rezultaty jego realizacji. Pokazano uwarunkowania technologiczne (urządzenia i laboratoria) oraz oprogramowanie i techniki charakteryzacji umożliwiające podjęcie realizacji projektu.

This paper presents the offer formulated by research group of the Faculty of Microsystem Electronics and Photonic of Wroclaw University of Technology, headed by Marek Tłaczala, for the design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application. The main assumption and goals of the project are given. The anticipated results are discussed. The main technological facilities (systems and clean rooms) as well as the software and measurements techniques intended for the realization of the project are presented.

Structure of interfaces in heteroepitaxial diamond films.

Jager W., Wittorf D., Urban K.

Inżynieria Materiałowa

1998

R. XIX, nr 4

785-790

High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) studies of diamond films grown on Si (100) substrates by microwave-assisted chemical vapour deposition show that, under optimized conditions, epitaxially oriented diamond grains may form directly on Si or on thin interlayers of nanocrystalline Beta-SiC. The orientation relationships between the crystal lattices can be described by a near-coincidence site lattice model if small elastic lattice distortions are taken into account. Characteristic of the structure of large-angle grain boundaries are facets parallel to the {111} planes of the diamond lattice. Lattice images of the {110}-diamond lattice planes in <001>-zone axes orientations depict that the structure of small-angle grain boundaries can be described by a dislocation model. Large open volumes and additional second carbon phases are not found at the grain boundaries in diamond films beyond 10 micrometers. Such microscopic investigations of the structure of interfaces in diamond films on silicon are essential for a fundamental understanding of the deposition process and of the correlation of structural with physical interface properties, such as e.g. thermal transport.