Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: hafnia

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Superplastic properties of zirconia-hafnia composites doped with various oxides

Boniecki M., Librant Z., Wesołowski W.

Materiały Ceramiczne

2010

T. 62, nr 3

259-265

The influence of 1 mol% dopant of various oxides on the superplastic flow of yttria stabilized tetragonal zirconia ceramics and zirconia – 10 mol% hafnia composite was examined in the temperature range 1553–1773 K. It was claimed that doping caused the increase of superplastic strain rate in zirconia and in zirconia-hafnia composite in comparison with undoped materials. The maximum strain rate for zirconia was measured for GeO2 addition; it was 16x higher than in pure ceramics, but for zirconia-hafnia the maximum strain rate was for SiO2 dopant (4x higher than in pure composite). There is a linear relationship between the grain boundary diffusion coefficient of Zr4+ and superplastic strain rate for zirconia ceramics. For zirconia-hafnia composite this relationship is not so obvious because of high strain rate for SiO2 addition.

Zbadano wpływ dodatku 1. % mol. różnych tlenków na nadplastyczne płynięcie ceramiki tetragonalnego dwutlenku cyrkonu stabilizowanego tlenkiem itru i kompozytu ZrO2-10 % mol. HfO2 w zakresie temperatury 1553–1773 K. Stwierdzono, że domieszkowanie spowodowało wzrost szybkości nadplastycznego odkształcania dwutlenku cyrkonu i kompozytu ZrO2-HfO2 w porównaniu z materiałami bez domieszek. Maksymalną szybkość odkształcania zmierzono w przypadku dodatku GeO2; była ona16x większa niż w czystej ceramice, ale w przypadku ceramiki ZrO2-HfO2 maksymalna szybkość odkształcania pojawiła się dla domieszki SiO2 (4x większa niż dla czystego kompozytu. Zależność pomiędzy współczynnikiem dyfuzji po granicach Zr4+ i nadplastyczną szybkością odkształcania ceramiki cyrkoniowej była liniowa. W przypadku kompozytu ZrO2-HfO2 zależność ta nie była tak oczywista z powodu wysokiej szybkości odkształcania zmierzonej dla dodatku SiO2.

Review and perspective of high-k dielectrics on silicon

Hall S., Buiu O., Mitrovic I. Z., Lu Y., Davey W. M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2007

nr 2

33-43

The paper reviews recent work in the area of high-k dielectrics for application as the gate oxide in advanced MOSFETs. Following a review of relevant dielectric physics, we discuss challenges and issues relating to characterization of the dielectrics, which are compounded by electron trapping phenomena in the microsecond regime. Nearly all practical methods of preparation result in a thin interfacial layer generally of the form SiOx or a mixed oxide between Si and the high-k so that the extraction of the dielectric constant is complicated and values must be qualified by error analysis. The discussion is initially focussed on HfO2 but recognizing the propensity for crystallization of that material at modest temperatures, we discuss and review also, hafnia silicates and aluminates which have the potential for integration into a full CMOS process. The paper is concluded with a perspective on material contenders for the "end of road map" at the 22 nm node.