Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: grzanie pośrednie

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Topienie pośrednie miedzi na podłożu molibdenowym za pomocą obustronnego układu grzania oporowego pod obniżonym ciśnieniem

Komorowski J., Binienda M., Pokrzywa M., Just P., Wołowiec E., Praska-Jaros A., Kula P.

Inżynieria Materiałowa

2012

Vol. 33, nr 6

710--713

W artykule przedstawiono wyniki prac nad przetapianiem miedzi w postaci proszku o wielkości ziarna wynoszącego 50 μm, dzięki wykorzystaniu obustronnego, pośredniego grzania oporowego grzałek wykonanych z materiału wysokotopliwego jakim jest wolfram [3]. Grzałki rozmieszczone są jedna nad drugą w odległości 0,02 m, pomiędzy którymi po środku znajduje się podłoże wykonane z materiału o wyższej temperaturze topnienia niż poddawany przetapianiu materiał. Układ grzałek wolframowych zapewnia równomierne rozgrzewanie powierzchni wyżej topliwego podłoża. W artykule przedstawiono schemat urządzenia do przetapiania sproszkowanej miedzi na podłożu wyżej topliwym oraz zdjęcia otrzymanych struktur przetopionej miedzi z procesów wykonanych z wykorzystaniem różnorodnych parametrów prądowych grzania oporowego podłoża.

This paper presents the results of work on the melting of copper in the form of a powder having a particle size of at 50 μm, by using both sides, the intermediate heat resistance heater made of a material which is of a high tungsten. Heaters are placed one above the other at a distance of 0.02 m between which the middle is a substrate made of a material having a higher melting point than the cast material. Tungsten heater circuit is arranged so that the uniformly heating the melt above the surface of the substrate. The paper resents the scheme of the device for melting copper powder on the floor above, fusible, and images obtained melted silicon structures of the processes carried out using a variety of parameters, current resistance heating of the substrate.