Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: growth mechanism

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

High Strength Metallurgical Graphene – Mechanisms of Growth and Properties

Kula P., Szymański W., Kołodziejczyk Ł., Atraszkiewicz R., Dybowski K., Grabarczyk J., Pietrasik R., Niedzielski P., Kaczmarek Ł., Cłapa M.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 4

2535--2542

In this work, the growth mechanisms of chemical vapor deposited and metallurgical graphene and their selected mechanical and electrical properties were investigated. The study revealed the influence of the growth mechanisms on monoand poly-crystalline nanostructures of synthesized graphene monolayers. The structure of flake boundaries greatly affects both the mechanical and electrical properties. The key factors are overlapping of the graphene flakes, their degree of mismatch and the presence of π type bonds. All of these issues should be taken into account when developing industrially scaled technologies for graphene manufacturing.

W pracy przedstawiono wyniki badań mechanizmów wzrostu oraz wybranych właściwości mechanicznych i elektrycznych grafenu chemicznie osadzanego z fazy gazowej oraz grafenu metalurgicznego. Badania wykazały wpływ mechanizmów wzrostu na mono- i polikrystaliczne nanostruktury syntetyzowanych monowarstw grafenu. Struktura granic płatków grafenu znacząco wpływa zarówno na właściwości mechaniczne jak i elektryczne. Kluczowymi czynnikami są: nakładanie się płatków grafenu, stopień ich niedopasowania oraz obecność wiązań typu π. Wszystkie te aspekty powinny być brane pod uwagę przy opracowywaniu technologii produkcji grafenu na skalę przemysłową.

Badania metod PVD/ CVD wzrostu nanorurek węglowych

Stępińska I., Kozłowski M., Sobczak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 8

98-101

Nanorurki węglowe otrzymywano za pomocą dwuetapowej metody PVD/ CVD. W pierwszym etapie (proces PVD) wytworzono warstwę węglową zawierającą nanoziarna Ni. W drugim etapie (proces CVD) warstwa z Ni została zmodyfikowana w celu otrzymania nanorurek węglowych osadzonych w matrycy węglowej. Czas procesu CVD został tak dobrany, aby otrzymać nanorurki w różnych etapach wzrostu (10, 20, 30 min). Wytworzone warstwy zawierające nanorurki węglowe charakteryzowane były za pomocą mikroskopii TEM i SEM. Do analizy morfologii i struktury otrzymanych nanorurek wykorzystano SEM wyposażony w detektory elektronów wtórnych i wstecznie rozproszonych. Badania struktury nanorurek w różnych etapach wzrostu wykonano za pomocą TEM.

Carbon nanotubes were grown using two step method. In a first step (PVD process) a carbonaceous film containing Ni nanograins was obtained. In a second step (CVD process) the film with Ni nanograins was modified for preparation of carbon nanotubes placed in carbonaceous matrix. Growth' time for CVD process was chosen in such a way to stop growing process in various stages (10, 20, 30 min). Obtained film containing carbon nanotubes was characterized with TEM and SEM methods. Backscattered and secondary electron detectors were used for SEM to analyze a morphology and structure of obtained carbon nanotubes. Carbon nanotubes structure in different growth stages was investigated by TEM.

Warstwy diamentowe otrzymywane metodą HF CVD o zróżnicowanej morfologii, metody weryfikacji otrzymanych warstw oraz ich zastosowanie

Szulc A., Mosińska L.

Ochrona przed Korozją

2011

nr 10

597-601

W artykule omówiono technikę syntezy warstw diamentowych metodą HF CVD (Hot Filament Chemical Vapour Deposition - Chemiczne Osadzanie z Fazy Gazowej przy użyciu Gorącego Włókna). W celu zwiększenia gęstości nukleacji zarodzi diamentowych wykorzystano tzw. biasing. Przedstawiono zależność jakości warstw od parametrów procesu ich wzrostu. Dokonano oceny wpływu zmiany zawartości metanu w gazie roboczym na jakość osadzanych warstw diamentowych. Badanie jakości warstw oparto o trzy nieinwazyjne metody: elektronową mikroskopię skaningową, dyfrakcję rentgenowską oraz spektroskopię Ramana. Metody te wzajemnie się uzupełniają, dając informacje o wielkości krystalitów, morfologii, naprężeniach i zawartości fazy niediamentowej w otrzymanych warstwach. Właściwości fizyczne syntetycznych diamentów determinują ich możliwe zastosowania, takie jak: pokrycia ochronne, podzespoły i układy elektroniczne, elektrody w elektrochemii, optyka, narzędzia tnące i ścierne itp.

Diamond layer synthesis by means of the HF CVD method (Hot Filament Chemical Vapour Deposition) has been discussed. Biasing was used as a means to enhance diamond nucleation. The relation between the quality of the layers and their growth process parameters has been presented. The impact of changes in the content of methane present in the operating gas on the quality of the deposited diamond layers has been evaluated. Three non-invasive methods i.e. scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy have been used to evaluate the quality of the layers. These methods are complementary and provideinformation about crystallite sizes, morphology, stresses and non-diamond phase contentin the diamond layers. The physical properties of synthetic diamonds determine their possible applications. They can be used as protective coatings, in electronic components and circuitry, electrodes in electrochemistry, optics, cutting and abrasive tools, etc.