W pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy laserów krawędziowych na bazie azotku galu. Emiter został zaprojektowany do pracy w temperaturze pokojowej i ciągłej emisji światła zielonego (540 nm). Pokazano, że zastosowanie warstwy ZnO, jako ograniczenie optyczne po stronie p, w porównaniu z warstwą ITO, pozwala polepszyć parametry pracy lasera w połączeniu z innymi warstwami zapewniającymi efektywne ograniczenie modu od strony n. Wynika to między innymi ze znacznie niższej wartości współczynnika absorpcji materiału ZnO oraz z lepszej przewodności cieplnej ZnO w porównaniu do ITO.
EN
The paper presents the results of the numerical analysis of edge-emitting lasers based on gallium nitride. The emitter was designed for operation at room temperature and continuous emission of green light (540 nm). It is shown that the use of a ZnO layer as a p-type optical confinement, compared to an ITO layer, allows improved laser operating parameters in combination with other layers providing optical confinement on the n-side. This is due to the significantly lower value of the absorption coefficient of the ZnO material and the much better thermal conductivity of ZnO compared to ITO.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.