PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  giant magnetoresistance
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ dodatkowego pola magnetycznego podczas napylania magnetronowego na efekt GMR w strukturach cienkowarstwowych
Kisała Jakub
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 1
192--195
PL
W artykule wskazano zasadność badań nad technologią struktur wykazujących zjawisko gigantycznego magnetooporu. Przedstawiono proces napylania magnetronowego oraz sposoby ukierunkowania namagnesowań warstw ferromagnetycznych w strukturach cienkowarstwowych. W wyniku przeprowadzonych pomiarów rezystancji otrzymanych struktur potwierdzono wpływ zastosowania zewnętrznego pola magnetycznego podczas napylania warstw ferromagnetycznych na powtarzalność zjawiska gigantycznego magnetooporu.
EN
The article shows the validity of research of structures showing the phenomenon of giant magnetoresistance. Magnetron sputtering process and methods of inducing direction of magnetization of ferromagnetic layers in thin-film structures are presented. As a result of the resistance measurements of structures, the influence of the application of an external magnetic field during ferromagnetic layers sputtering process on the repeatability of the giant magnetoresistance effect was confirmed.
2
Content available remote A model of the response of GMR of metallic multilayers to external magnetic field
Uba J. I., Ekpunobi A. J., Ekwo P. I .
Materials Science Poland
|
2015
|
Vol. 33, No. 4
835--840
EN
It has not been possible to transform resistivity models in terms of magnetic field in order to account for variation of giant magnetoresistance (GMR) with external magnetic field, which would have led to determination of material properties. This problem is approached mathematically via variation calculus to arrive at an exponential function that fits observed GMR values. Using this model in free electron approximation, the mean Fermi vector, susceptibility and total density of states of a number of metallic multilayers are determined from their reported GMR values. Susceptibility is found to depend on interface roughness and antiferromagnetic (AF) coupling; thus, it gives qualitative measure of interface quality and AF coupling. Comparison of susceptibilities and GMRs of electrodeposited and ion beam sputtered Co/Cu structures shows that a rough interface suppresses GMR in the former but enhances it in the latter.
3
Microstructure and magnetic properties of the Cu-1% Co single crystal
Czub J., Dubiel B., Tokarz W., Czyrska-Filemonowicz A.
Inżynieria Materiałowa
|
2010
|
Vol. 31, nr 3
309-311
EN
This paper reports the results of transmission electron microscopy (TEM) and magnetic properties investigations of the Cu-1% Co (wt. %) single crystal. Particle size measurements were performed using quantitative TEM metallography methods. Two classes of Co particles were identified, each one with different magnetic properties: superparamagnetic (SPM) and ferromagnetic (FM). The hysteresis loop measured at 295 K was analysed taking into account SPM and FM contributions. The mean size of the SPM Co particle was determined and compared with the result of the TEM metallography results.
PL
W pracy przestawiono wyniki badań monokryształu Cu-1% Co (% mas.) metodą transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM) oraz pomiarów własności magnetycznych. Wyznaczono średnią średnicę cząstek Co metodą metalografii ilościowej TEM. Zidentyfikowano dwa rodzaje cząstek Co różniące się własnościami magnetycznymi: superparamagnetyczne (SPM) i ferromagnetyczne (FM). Przeprowadzono analizę pętli histerezy zmierzonej w temperaturze 295 K, uwzględniając przyczynek superparamagnetyczny i ferromagnetyczny. Wyznaczono średnią średnicę superparamagnetycznej cząstki Co i porównano z wartością uzyskaną na podstawie wynikow TEM.
4
Content available remote Spintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników
Tumański S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 2
93-98
PL
W artykule omówiono czujniki magnetorezystancyjne i na ich przykładzie przedstawiono nową dziedzinę techniki spintronikę. Odkrycie zjawisko gigantycznego magnetooporu zostało uhonorowane w zeszłym roku nagroda Nobla - w artykule przedstawiono osiągnięcia nagrodzonych zespołów oraz samo zjawisko. Porównano czujniki GMR z czujnikami AMR i innymi elementami wykorzystującymi zależność przewodnictwa od pola magnetycznego.
EN
In the paper have been described magnetoresistive sensors and on this ex ample the spintronics is discussed. The discovery of giant magnetoresistance was awarded by Nobel price - the paper presents achievements of honored teams and the GMR phenomenon as well. The performances of magnetoresistive sensors are discussed and new sensors utilizing spin effect are presented
5
Content available remote Surface Contribution to GMR in Fe/Cr/Fe Films
Warda K, Pereiro M, Wojtczak L, Baldomir D, Castro J, Arias J
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 4
1077--1082
EN
Transport properties of very thin films have been analysed using the layered potentials calculated by means of the ab initio method represented by the density functional theory (DFT) in the planar geometry for the nFe/3Cr/nFe films, where n is the number of monoatomic Fe layers, (1 ≤ n ≤ 8). We also take into consideration the values of the relaxation time and the effective mass of an electron in terms of the considered potentials. The matching conditions have been applied at the interface and the boundary conditions at the surface in order to determine the contributions to the giant magnetoresistance (GMR) coming from the surface, interface, and inner layers. The surface roughness is introduced by means of the specularity factor Pσ defined in the spin-dependent terms responsible for the scattering of the electrons. Thus, the electron scattering at the outer surfaces depends on both spin orientations. The main result obtained in the paper is the evaluation that the surface contribution to GMR is very small in comparison with the effect of interface.
6
Content available remote The progressive evolution from giant magnetoresistance to anisotropic magnetoresistance in CoNi-Al2O3 granular films
Wang Ch., Rong Y., Hsu T.Y., Hsu T.Y.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 2/1
351--356
EN
A series of CoNi-Al2O3 granular films were prepared with a magnetron controlled sputtering system. The magnetic-transport properties were measured by conventional four probes method. The results indicate that longitudinal GMR effect reaches a maximum of -2.1% at about 35 vol.% CoNi. Meanwhile, GMR effect is dominant when the volume fraction is less than about 50 vol.%, whereas AMR predominate in films when the volume fraction is larger than about 50 vol.%. It suggests that there exists a progressive evolution from GMR to AMR through percolation region in CoNi-Al2O3 granular films.
7
Content available remote Spin-dependent transport and inter-wall coupling in carbon nanotubes
Lambert C. J., Athanasopoulos S., Grace I. M., Bailey S. W.
Materials Science Poland
|
2004
|
Vol. 22, No. 4
435--444
EN
Theoretical results for electron transport through two structures involving carbon nanotubes are presented. The first structure was a nanotube inserted into another nanotube of a larger diameter. The electrical conductance of the resulting double-wall CNT is an oscillatory function of the length of the insertion. The frequency and amplitude of these oscillations reflect the position dependence of inter-tube interaction in multi-wall CNTs. The second structure was a single-wall carbon nanotube (CNT) in contact with ferromagnetic electrodes, exhibiting giant magnetoresistance (GMR). An intuitive picture of GMR in clean nanotubes with low-resistance contacts is presented and ab initio results are obtained for GMR in Nickelcontacted nanotubes.
8
Nowe struktury warstwowe wykazujące efekt gigantycznego magnetooporu.
Stobiecki F., Luciński T., Dubowik J., Szymański B., Urbaniak M., Smardz L., Schmidt M., Aleksiejew J.
Archiwum Nauki o Materiałach
|
2003
|
T. 24, nr 4
285-295
PL
Przedstawiono fenomenologiczny opis efektu gigantycznego magnetooporu (GMR) w nanostrukturach warstwowych (grubości poszczególnych warstw układu warstwowego nie przekraczają 10 nm). Wykorzystując rezultaty wcześniejszych badań, dotyczących własności magnetycznych cienkich warstw, zaproponowano zastosowanie nowych materiałów w strukturach typu zawór spinowy. Zaprezentowano wyniki pomiarów magnetooporu dla struktur typu F1/NF/F2 (F1, F2 warstwy ferromagnetyczne o różnych polach koercji, NF metal nieferromagnetyczny). Wykazano, że w takich strukturach mogą znaleźć zastosowanie warstwy Ti/Co i NiO/Co jako materiały o odpowiednio małym i dużym polu koercji. Zademonstrowano również możliwość wykorzystania wielokrotnych warstw Fe/Si, wykazujących silne antyferromagnetyczne sprzężenie wymienne, jako sztucznego antyferromagnetyka w GMR-owskich strukturach warstwowych typu zawór spinowy. Wykonano układy warstwowe wykazujące w kolejnych subwarstwach ferromagnetycznych naprzemian anizotropię typu łatwa płaszczyzna i łatwa oś prostopadła do płaszczyzny warstwy. Pokazano, że w tym nowym rodzaju struktur warstwowych możliwe jest uzyskanie liniowej zależności oporu elektrycznego w funkcji pola magnetycznego.
EN
The phenomenological description of the giant magnetoresistance (GMR) effect in thin film nanostructures (thicknesses of individual layers are smaller than 10 nm) are presented. Basing on previously determined magnetic properties of thin films, new spin valve structures are proposed. The results of magnetoresistance measurements of F1/NF/F2 (F1, F2 and NF are ferromagnetic layers with different coercivity fields, and nonferromagnetic layers, respectively) structures are presented. It is demonstrated that in such structures Ti/Co and NiO/Co layers can be applied as the soft and hard magnetic layers respectively. The application of Fe/Si multilayers with strong antiferromagnetic coupling as artificial antiferromagnet in GMR structures is also documented. The layered structures with alternating in-plane and perpendicular anisotropy of ferromagnetic layers are proposed for magnetoresistive sensors with a linear dependence of electrical resistance versus magnetic field.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.