Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Kwantowy (2DEG) czujnik pola magnetycznego z pseudomorficzną warstwą aktywną In0,52Al0,48As/In0,8Ga0,2As na podłożu (411)A InP

Przesławski T., Wolkenberg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 1

55-61

PL

Opisano koncepcję nowej generacji czujników Halla wykorzystujących półprzewodnikowe studnie kwantowe wypełnione 2DEG. Technologie MBE, MOCVD umożliwiają kontrolę parametrów rosnących warstw oraz wytwarzanie tzw. struktur pseudomorficznych - mechanicznie naprężonych na granicy z sąsiednimi warstwami i nie przekraczających grubości krytycznej. Podano właściwości elektryczne oraz charakterystyki różnych parametrów, które mogą być odpowiednio kształtowane (inżynieria przerwy zabronionej, inżynieria funkcji falowych). Wymienione zalety tej struktury heterozłączowej w połączeniu ze wzrostem na podłożu (411 )A InP powinny znacznie poprawić właściwości transportowe ładunków elektrycznych. Czujniki Halla wykorzystujące struktury pseudomorficzne mogą w najbliższej przyszłości wyprzeć z wielu zastosowań tradycyjne hallotrony.

EN

There was described new concept of Hall sensors with fulfilled quantum wells by 2DEG. MBE and MOCVD technology allow control of the growing layers (channel and barrier) and therefore also to make pseudomorphic structures mechanic strained on the frontier between neighbor layers and with it thickness lower as critical. It was described different properties and parameters which can be shaped using energy gap and wave function engineering. All values of these structures together with growth on (411)A InP (super- flat interfaces - significant reduction of the interface roughness scattering charge carrier of 2DEG, enhanced electron mobility) must to bring enormous increase of transport parameters of charge carriers. Such Hall sensors can push out in the future the classical Hall sensors with thin layer structure.

2

Electrical resistivity of disordered monolayer metallic films

Jarguz P., Paja A.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

633--637

EN

Electron transport through a disordered two-dimensional array of potentials is investigated. The resistivity is calculated according to the Faber-Ziman diffraction model suitably modified for two-dimensional electron gas. The structure factor is obtained by means of numerical simulations. The pseudopotentials are assumed to be the Shaw potentials with appropriate screening. The resistivities of disordered monolayers of alkali metals have been calculated in this model using the parameters which allowed us to explain well the experimental data for the bulk materials.

3

Modelowanie kropek kwantowych

Mączka M.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2005

|

Vol. 51, z. 2

223--238

PL

Niniejszy artykuł dotyczy kropek kwantowych formowanych elektrostatycznie wewnątrz tranzystora jednoelektronowego. Przyrząd ten wytwarzany jest w oparciu o technologię bramek powierzchniowych z wykorzystaniem struktury ISIS (ang. Inverted Semiconductor Insulator Semiconductor). Praca jest kontynuacją badań nad doskonaleniem numerycznego modelu omawianego tu przyrządu i dotyczy uproszczenia polegającego na traktowaniu elektrod polaryzujących jako nieskończenie cienkie powierzchnie metaliczne. W niniejszej pracy przedstawiono wpływ grubości elektrod na rozkład potencjału w obszarze formowania kropki kwantowej w oparciu o nowy model przyrządu.

EN

The work concerns quantum dots formed electrostatically inside the single-electron transistors. These devices are produced with superficial gate technology in inverted semiconductor-insulator-semiconductor structure. M.A. Kastner [5] proposed the first such a device in 1991. The structure of the single-electron transistor In this article quantum dots are modeled with the use of the confined potential formed by electrostatic field. The numerical method of dissolving Poisson equation in these devices is described. The Method uses Boundary Elements. Potential distributions are calculated with the use potential density functions of the single layer. These functions physically are related to density of charge. In previous works in the calculations an infinitely thin polarizing electrodes were assumed. In the present paper the influence of electrodes thickness onto potential distributions is examined. This require the previous model to be renewed. In the work the comparison of potential distributions in old and new numerical model is presented. The numerical investigations of potential distributions, with the use of new model show, that the finite thickness of polarizing electrodes, to some extent changes the shape of the potential forming a quantum dot. This change depend on electrode, which is considered. Generally speaking confining potential is more sensitive to the thickness of upper electrodes than to thickness of electrodes of sources or drain.