Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Stosowane metody zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w mostkowych stopniach końcowych wzmacniaczy klas D i falowników

Jasielski J., Kuta S.

Science, Technology and Innovation

|

2018

|

Vol. 2, no. 1

31--41

PL

W pracy dokonano przeglądu i oceny różnych technik zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w stopniach końcowych wzmacniaczy klasy D oraz różnego rodzaju konwerterów DC-AC lub DC-DC. Opisano i porównano techniki wytwarzania pływających napięć zasilających sterowniki bramkowe tranzystorów górnej części mostka w konfiguracji typu bootstrap oraz w konfiguracji typu samo-doładowującej się pompy ładunkowej, a także przedstawiono techniki izolacji galwanicznej sygnałów cyfrowych: optyczną i pojemnościową, które mogą być wykorzystane do sterowania tranzystorów w górnej części mostka. Przedstawiony w pracy oryginalny mostkowy wzmacniacza klasy BD z dwubrzegową modulacją PWM z przesuwaniem fazy sygnału modulowanego PSC PWM i zerowym sygnałem wspólnym na wyjściu pokazuje, że w układach budowanych w oparciu o wielopoziomowe metody modulacji PWM, prawie wszystkie sterowniki tranzystorów stopnia końcowego wymagają pływających napięć zasilających i izolacji galwanicznej. W takich układach najpewniejszą i niezawodną metodą zasilania i izolacji galwanicznej sterowników bramkowych tranzystorów mocy w stopniach końcowych są układy samodoładowujących się pomp ładunkowych z izolacją galwaniczną sygnałów cyfrowych ze sprzężeniem pojemnościowym. Poprawność działania stopnia końcowego tego wzmacniacza, wraz ze wszystkimi układami sterującymi, zweryfikowano za pomocą symulacji komputerowych w programie PSpice.

EN

Various methods used for a floating high-side gate drive power supply and galvanic isolation of the Class-D amplifiers and different DC-AC or DC-DC converters have been reviewed and evaluated in the paper. On the basis of the literature, the bootstrap floating supply and self-boost charge pump topology for a gate drive high-side power supply, as well as control signal isolated systems with optically-isolated signals or with capacitive signal isolation have been described and compared. New topologies of the Class-BD amplifiers with Common-Mode (CM) free outputs using PSC PWM - Phase Shifted Carrier Pulse Width presented in the paper, shows that almost all gate drivers of the output stage transistors require floating power supply and galvanic isolation of the control signals. In the case of such circuits with multi-level PWM output, the most reliable and robust method for the floating gate drive power supply and galvanic isolation is self-boost charge pump topology with capacitive control signal isolation. Correct operation of the output stage of the proposed Class-BD amplifiers as well as the PWM modulator and self-boost charge pump topologies with capacitive control signal isolation have been verified using intensive Pspice simulation.

2

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)

Rąbkowski J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 5

45--48

PL

W artykule omówiono zagadnienia związane z projektowaniem i budową falownika mostkowego wykorzystującego azotkowo-galowe (GaN) tranzystory typu Gate Injection Transistors (GIT). Przedstawione są podstawowe właściwości tych tranzystorów wraz z tematyką dotyczącą ich sterowników bramkowych. Następnie zaprezentowany jest model laboratoryjny falownika o mocy 2kVA pracującego z częstotliwością przełączeń równą 250kHz. Artykuł ilustrowany jest wynikami badań laboratoryjnych.

EN

The paper discuses issues related to design and construction of the H-bridge inverter using Gallium Nitride (GaN) Gate Injection Transistors (GIT). Basic features of the transistors are shown together with gate driver topics. Then, a laboratory model of the 2kVA inverter operating at switching frequency of 250 kHz is presented. The paper is illustrated with experimental results.

3

Gate driver for SiC Mosfet transistors

Mysiński W., Jakubas W.

Czasopismo Techniczne. Elektrotechnika

|

2016

|

Y. 113, iss. 1-E

113--122

EN

As new power transistors, such as SiC Mosfets, are being increasingly used in power electronics systems, it has become necessary to use special drivers. This article compares the parameters of SiC Mosfet, Si Mosfet, and IGBT gate circuits. Differences are discussed with reference to the ways in which these transistors are controlled. Gate circuit parameters of SiC transistors differ slightly from those of common Mosfet or IGBT transistors, and in order to be able to fully utilise the capabilities of these new devices, it is necessary to employ appropriate drivers. This article discusses one such driver for SiC transistors.

PL

Ze względu na coraz częstsze stosowanie nowych tranzystorów mocy typu Mosfet SiC w układach energoelektronicznych istnieje potrzeba zastosowania specjalnych układów sterowników bramek. Parametry obwodu bramki tranzystorów zbudowanych na węgliku krzemu są trochę inne niż typowych tranzystorów Mosfet lub IGBT i żeby w pełni wykorzystać właściwości tych nowych elementów, należy zastosować odpowiednie sterowniki. W artykule przedstawiono jeden z przykładów sterowników (tzw. gate driver) dla tranzystorów typu Mosfet SiC.

4

Reduced stress and fluctuation for the integrated α-Si TFT gate driver on the LCD

Huang N. X., Shiau M. S., Wu H.-C., Sun R. C., Liu D.-G.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2010

|

Vol. 1, nr 3

311-315

EN

In this paper, an integrated TFT gate driver was designed on the glass substrate not only to decrease the fluctuation at the output, but also to reduce the stress effect on the pull-down branches. The fluctuation in the voltage at the output transistor was attributed to the coupled clocks through the parasitic capacitors in the TFTs. In this study, the voltage gating the pull-down braches was reduced for longer operational lifetime. This scheme was investigated by simulation by Smart-SPICE with an α-Si TFT model from Wintek Inc. at level 35.

5

Tranzystor JFET z węglika krzemu - szybki, wysokonapięciowy element półprzewodnikowy do zastosowań w energoelektronice

Rąbkowski J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

R. 85, nr 4

205-208

PL

W artykule przedstawiono podstawowe właściwości tranzystora JFET, w pełni sterowanego elementu wykonanego w technologii węglika krzemu (SiC), pod kątem zastosowania go w energoelektronice. Wykorzystując próbki elementów dostarczone przez producenta wyznaczono charakterystyki statyczne a także dynamiczne elementu oraz zbadano jego zachowanie się w stanie zwarcia. Opracowano sterownik bramkowy z zabezpieczeniem nadprądowym, który został wykorzystany do budowy przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie.

EN

In this paper basic features of Junction Field Effect Transistor (JFET), fully controlled device made of silicon carbide (SiC) are presented. With the use of JFET samples static and dynamic characteristics are determined and short circuit behavior is shown. The gate driver with overcurrent protection has been developed and applied in step-down DC/DC converter.