Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju

Jasik Agata, Sankowska Iwona, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Kotowski Mateusz

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

115--118

PL

W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 μm pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).

EN

The article presents selected aspects of the two-stage optimization of type II InAs/GaSb superlattice for the use in photodetectors of the long-wavelength-infrared radiation. The first stage was to develop the growth of the periodic structures confirmed by x-ray diffraction studies, and the second one to reduce density of the point defects on the superlattice surface. The effect of the thickness of InSb interfaces on the defect density and the impact of defects on the photoconductor properties was shown. The photoconductors with absorption cut-off wavlength of about 9.3 μm and an current responsivity (Ri) detecteble in a wide temperature range of up to 225 K were obtained.

2

Demonstration of HOT photoresponse of MWIR T2SLs InAs/InAsSb photoresistors

Michalczewski Krystian, Tsai T. Y., Martyniuk P., Wu C. H.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2019

|

Vol. 67, nr 1

141--145

EN

We report on the photoresponse of mid-wavelength infrared radiation (MWIR) type-II superlattices (T2SLs) InAs/InAsSb high operating temperature (HOT) photoresistor grown on GaAs substrate. The device consists of a 200 periods of active layer grown on GaSb buffer layer. The photoresistor reached a 50% cut-off wavelength of 5 μm and 6 μm at 200 K and 300 K respectively. The time constant of 30 ns is observed at 200 K under 1 V bias. This is the first observation of the photoresponse in MWIR T2SLs InAs/InAsSb above 200 K..

3

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 10

3-8

PL

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

EN

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.