Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: fotorezyst

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A note on optical materials for photolithography applications

Jain A., Roszkiewicz A., Nasalski W.

IPPT Reports on Fundamental Technological Research

2018

nr 3

1--41

Optical lithography or photolithography is well-established optical tool for patterning of substrates, layers or photonic crystals. Therefore, the materials involved in these processes play an important role, especially for the possibility of their further advancements and optimisation. In this review article, we discuss on the role and significance of photoresist materials from various perspectives like their performance in photonic applications and their dependence on various physical and chemical parameters. Further, several emerging now two-dimensional materials like graphene has also been discussed from photonic point of view. We aim to give a short overview of recent developments of such materials in this field.

Fotolitografia jest dobrze znanym procesem pozwalającym na tworzenie wzorów na podłożach, warstwach czy kryształach fotonicznych. W związku z tym materiały wykorzystywane w tym procesie pełnią istotną rolę, zwłaszcza ze względu na dalszy możliwy rozwój dziedziny oraz optymalizację procesu. W tym artykule przeglądowym omawiamy rolę i znaczenie fotorezystu z różnych perspektyw, np. jego wydajność w zastosowaniach fotonicznych czy zależność od różnych parametrów fizycznych i chemicznych. Ponadto, omawiamy wiele powstających obecnie dwuwymiarowych materiałów, jak grafen, z punktu widzenia fotoniki. Naszym celem jest przedstawienie krótkiego przeglądu ostatnich osiągnięć w dziedzinie tego typu materiałów wykorzystywanych w fotolitografii.

AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist

Azarko I., Bumai J., Volobuev V., Zhukovski P., Lukashevich M., Odzhaev V.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

270-271

Structure, electron spin resonance and reflection coefficient in thin films (1.8 �Ęm) of photoresist implanted by 60 keV antimony ions have been investigated in the fluence range 1x1015 . 5x1016 cm-2. Formation carbonized layer at critical fluence 5x1016 cm-2 have been observed. Thickness of implanted layer determined as 0.27- 0.39 �Ęm and refraction coefficient changes in the range 2.4 . 3.4 depending on fluence implantation.

Badano strukturę, elektronowy rezonans spinowy oraz współczynnik odbicia cienkich powłok fotorezystu implantowanego jonami antymonu o energii 60 keV dawkami w zakresie 1x1015 – 5x1015 cm-2. Przy dawce krytycznej 5x1015 cm-2 zaobserwowano powstawanie warstwy osadu węgłowego. Określono grubość warstwy implantowanej: 0.27- 0.39 .m oraz zmiany współczynnika odbicia – w zakresie 2,4 - 3,4 w zależności od dawki implantacji.