PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotoprzewodnictwo
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych
Suproniuk M., Majda-Zdancewicz E., Pawłowski M., Wierzbowski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
103--106
PL
Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych uwzględniając m.in. kwestie związane z szybkością włączania elementu, równomiernym rozkładem gęstości prądu, wytrzymałością termiczną, czasem eksploatacji i wysokim lokalnym polem elektrycznym wytwarzanym w miejscu elektrod.
EN
A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the switch rise-times, uniform distributed current density, thermal resistance, device lifetime and high local electric field generated at the electrode site.
2
Content available remote Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs
Suproniuk M., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
165-168
PL
Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.
EN
Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.
3
Content available remote Prof. dr hab. Jan Kalinowski 1938-2010
Sworakowski J.
Postępy Fizyki
|
2012
|
T. 63, z. 2
89-91
PL
Profesor dr hab. Jan Kalinowski wybitny fizyk, specjalista w dziedzinie fotoprzewodnictwa i luminescencji materiałów organicznych, był profesorem Wydziału Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Politechniki Gdańskiej. Był on szeroko ceniony za swe zdolności organizacyjne, oraz wkład jaki wniósł w rozwój w dziedzinie badań elektronowych własności układów molekularnych.
EN
Professor dr hab. Jan Kalinowski the outstanding Polish physicist in the field of organic photoconductivity and luminescence of organic materials was Professor of Faculty of Applied Physics and Mathematics of Gdansk University of Technology. He was widely recognized for his leadership skills and innovative contributions to teaching, research and new technology development in physics and optoelectronics of molecular systems.
4
Zastosowanie elektromagnetycznego promieniowania do badania elektronowej struktury ciał stałych : promieniowanie synchrotronowe
Seroczyńska B., Wojas W. L.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 2
73-77
PL
W pracy dokonano klasyfikacji wszystkich, stosowanych w technice źródeł promieniowania elektromagnetycznego, w zakresie energii od kilku eV do tysięcy eV. Stwierdzono, że między monochromatycznymi wiązkami promieniowania pochodzącymi ze wzbudzonych gazów lub par a promieniowaniem rentgenowskim występuje "pusty" przedział energii 11...-100 eV. Praktyczne wykorzystanie tych energii byłoby użyteczne w badaniu elektronowych właściwości niektórych półprzewodników i dielektryków, np. w badaniu fotoprzewodnictwa i fotoemisji zewnętrznej z tych materiałów. Rozwiązaniem tego problemu jest zastosowanie promieniowania synchrotronowego (SR). W artykule opisano urządzenia wytwarzające to promieniowanie. W drugiej części pracy krótko opisano fizykalne informacje, które można uzyskać z widm emitowanych fotoelektronów przy pobudzaniu kryształów promieniowaniem synchrotronowym.
EN
In the work, all electromagnetic sources of radiation from few eV to thousands eV are classified, wchich may be applied in technics and physics. It was noticed that "empty" range of energies (11...-100 eV) exists between the monochromatic beams originating from gas lamps or vapour lamps and the X-ray radiation. The practical using of these energies (< 100 eV) could be useful in investigations of electron properties of semiconductors and insulators, for example in investigations of photoconductivity and external photoemission from solids. The application of synchrotron radiation (S.R.) resolves this problem. The sources of synchrotron radiation are described. In second part of the work, the physical data have been described shortly, which have been obtained from photoelectron spectra versus energy by S.R. excitation of crystal solids.
5
Content available Postępy w badaniach fotoprzewodnictwa monokryształów sillenitów mieszanych
Żmija J., Majchrowski A., Szymczak H., Borowiec M. T.
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
|
2006
|
R.11, NR 1-2
61--68
PL
Opracowano technologię krystalizacji z roztworów wysokotemperaturowych topiących się niekongruentnie sillenitów i otrzymano mieszane monokryształy Bi12Ti1-xPbxO20 (BTPbO) (x = 0,08; 0,16; 0,23; 0,36; 0,46; i 0,56), monokryształy Bi25FeO40 (BFeO) oraz mieszane monokryształy Bi12Ti1-xFexO20 (BTFeO, x = 0,3). Określono górną granicę zawartości jonów ołowiu w mieszanych monokryształach BTPbO. Maksymalne wartości fotoprzewodnictwa uzyskano dla monokryształów o nominalnej wartości x = 0,2. Przeprowadzono badania fotoprzewodnictwa w szerokim przedziale spektralnym w funkcji temperatury, częstotliwości (światło modulowane) i składu (wartości x). Zaobserwowano dwa typy zależności fotoprzewodnictwa od temperatury. Do pierwszej grupy należą monokryształy sillenitów z żelazem, dla których fotoprzewodnictwo zanika ze zmniejszeniem temperatury. Do grupy drugiej należą sillenity mieszane BTPbO, dla których zależność temperaturowa jest wieloekstremowa. Wszystkie widma fotoprzewodnictwa zbadanych monokryształów sillenitów prostych i mieszanych składają się z trzech części: niskoenergetycznej odpowiadającej fotoprzewodnictwu „domieszkowemu”; o energii pośredniej związanej z fotojonizacją polaronu; wysokoenergetycznej odpowiadającej przejściu pasmo - pasmo.
EN
Crystallization from high temperature solutions of incongruently melting sillenites has been developed. Single crystals of Bi12Ti1-xPbxO20 (BTPbO) (x = 0.08; 0.16; 0.23; 0.36; 0.46; and 0.56), Bi25FeO40 (BFeO) and Bi12Ti1-xFexO20 (BTFeO, x = 0.3) have been obtained. The upper level of Pb concentration in mixed BTPbO single crystals has been found. Maximal photconductivity has been obtained for BTPbO samples grown from melts containig 20 at.% of lead. Sillenite photoconductivity has been investigated in a broad spectral range in dependence of temperature, frequency (modulated light) and concentration of components. Two modes of photoconductivity-temperature dependences have been found. In sillenites containing iron the photoconductivity vanishes with decreasing temperature. In case of mixed BTPbO sillenites the dependence has multi-peak shape. All spectra of investigated sillenites consist of three parts: low-energy part corresponding to dopants photoconductivity; medium-energy part connected with ionization of polarons; high-energy part connected with bandband transitions.
6
Badanie transportu nośników w niedomieszkowanym krzemie porowatym metodą niestacjonarnego fotoprzewodnictwa
Bratkowski A., Łukasiak Z., Korcala A., Borowski P., Bała W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
15-16
PL
Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.
EN
Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.
7
Content available remote Poszukiwanie fotonadprzewodnictwa w monokryształach sillenitów
Żmija J., Majchrowski A., Szymczak H., Borowiec M. T.
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
|
2004
|
R. 9, NR 1-2
9--20
PL
Opracowano technologię monokrystalizacji mieszanych sillenitów Bi12Ti1-xPbxO20 (M = V, Ga, Pb, Cu) z rozbvorow wysokotemperaturowych metodą TSSG (Top Seeded Solution Growth - w wyniku wzrostu na zorientowanych zarodziach). Zbadano zależności temperaturowe fotoprzewodnictwa tych materiałów. W stosunku do najlepszych do tej pory znanvch fotoprzewodnikow sillenitowych właściwości fotoprzewodzące poprawiono o 4÷5 rzędów wielkość, w warunkach stałego oświetlenia. Udokumentowano zmiany oporności właściwej indukowane światłem w przedziale 15÷17 rzędów wielkości. Stwierdzono, że największe fotoprzewodmctwo występuje Bi12Ti1-xPbxO20 (x = 0,2). Jest ono związane z generacją ziaren metalicznych w Bi12Ti1-xPbxO20.
EN
Technology of mixed sillenites Bi12Ti,.xMxO20 (M = V, Ga, Pb, Cu) single crystal growth from high temperature solutions (Top Seeded Solution Growth - TSSG) has been developed. Temperature dependences of photoconductivity for these materials have been investigated. In comparison to known photoconducting sillenites, their photoconductivity was increased by 4-5 orders of maenitude. The changes of resistivity induced by illumination has been found to occur in the range of 15-17 orders of magnitude. The highest photoconductivity has been found in Bi12Ti1-xPbxO20 (x=0.2). It was connected with formation of metallic grains in Bi12Ti1-xPbxO20.
8
Poliuretany o właściwościach fotochromowych
Ortyl E., Wontor A., Kucharski S.
Prace Naukowe Instytutu Technologii Organicznej i Tworzyw Sztucznych Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2003
|
Vol. 52, nr 25
334-337
PL
Przedstawiono syntezę nowych poliuretanów fotochromowych. Ugrupowania chromoforowe, będące pochodnymi heterocyklicznych sulfonamidów, wprowadzono do polimeru metodą diazowania. Otrzymano poliuretany o różnym stopniu podstawienia grup azobenzenowych. Badane polimery wykazują maximum absorpcji w zakresie 420-450 nm. Pod wpływem naświetlania światłem białym następowała izomeryzacja trans-cis ugrupowania azobenzenowego. Zbadano również zdolność otrzymanych poliuretanów do generacji fotoprądu.
EN
A series of photochromic polymers have been obtained based on precursor polymer prepared from diisocyanate MDI and N,N'-di(2-hydroxyethyl)aniline. The precursor polymer was functionalized by azo coupling reaction to form polymers with different degrees of functionalization and cotaining different heterocyclic sulfonamide groups. The maximum absorption band was observed in the range 420-450 nm. Polymers spin-coated onto ITO glass were able to generate photocurrent - in best conditions in reached 180 nA cm -2.
9
Półprzewodniki organiczne
Polowczyk M., Klugmann E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
Vol. 43, nr 3
11-14
PL
Przedstawiono podział rodzajowy półprzewodników organicznych (PO). Określono wiązania podwójnie sprzężone oraz π-elektrony, które mają fundamentalne znaczenie w teorii PO. Zaprezentowano panujące obecnie koncepcje przewodnictwa elektrycznego oraz fotoprzewodnictwa PO. Przytoczono informację o zwiększeniu do blisko 100% wydajności kwantowej procesu generacji nośników przez wprowadzenie do donorowego PO fullerenów odgrywających tam rolę akceptorów.
EN
A classification of organic semiconductors (OS) is presented. Conjugated bonds and π-electrons as idea of fundamental meaning in the OS theory are introduced. The actual conceptions of increase up to 100% of the quantum efficiency of photoinduced charge generetion by mixing electron-donor type polymer with fullerenes is quoted.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.